【技术实现步骤摘要】
物镜保护装置、物镜系统以及光刻设备
本专利技术涉及半导体及光学
，特别涉及一种物镜保护装置、物镜系统以及光刻设备。
技术介绍
物镜作为光刻机的核心组件，直接决定着产品的成像质量。物镜底层镜片与硅片距离很小(约40mm)，光刻机在曝光过程中，硅片表面涂有的光刻胶中含有有机溶剂，在曝光作用下会持续缓慢的挥发。随着光刻机的持续运行，挥发的有机溶剂会粘附在物镜的下表面，在底层镜片下表面形成有机溶剂污染膜。该污染膜严重影响物镜中光的透过率，降低硅片的成像效果，不利于产品质量。针对上述问题，目前的主要处理办法有：1.为了保证成像质量，对底层镜片表面定期擦拭去除黏着的有机溶剂，但再小心的擦拭，也会对镜片的镀膜有影响，造成镜片不可逆损坏，该接触式的处理方式不宜频繁使用。同时，直接擦拭受到操作人员熟练度等因素的影响会出现不同的结果，产品的均一性控制困难。2.在物镜的底层镜片下面设置镜座，安装一层极薄的物镜保护膜来防止有机溶剂附着在镜片表面。该方法虽可以有效防止镜片污染，但保护膜受到光的透摄，光是具有能量的，会导致保护膜的使用寿命缩短。同时，受到目前技术的限制，极薄的保护膜一方...
【技术保护点】
1.一种物镜保护装置，其特征在于，所述物镜保护装置包括一主体结构，所述主体结构具有送气单元和抽排单元，所述送气单元输出气体，所述抽排单元对所述送气单元输出的气体进行抽排，从而在所述送气单元和所述抽排单元之间形成至少一层风幕。
【技术特征摘要】
1.一种物镜保护装置，其特征在于，所述物镜保护装置包括一主体结构，所述主体结构具有送气单元和抽排单元，所述送气单元输出气体，所述抽排单元对所述送气单元输出的气体进行抽排，从而在所述送气单元和所述抽排单元之间形成至少一层风幕。2.如权利要求1所述的物镜保护装置，其特征在于，所述送气单元具有送气面，所述送气面上设有至少一个送气口，所述抽排单元具有第一抽气面，所述第一抽气面上设有至少一个第一抽气口，所述送气面和/或所述第一抽气面结构是阶梯型。3.如权利要求1或2所述的物镜保护装置，其特征在于，所述送气单元具有送气面，所述送气面上设有至少一个送气口，所述抽排单元具有第一抽气面，所述第一抽气面上设有至少一个第一抽气口，所述送气面和/或所述第一抽气面轴对称分布。4.如权利要求1所述的物镜保护装置，其特征在于，所述送气单元具有送气面，所述送气面设有送气口，所述送气面垂直于所述送气单元的送气方向。5.如权利要求4所述的物镜保护装置，其特征在于，所述送气面包括多个不在一个平面的子送气面。6.如权利要求5所述的物镜保护装置，其特征在于，多个所述子送气面之间平行分布。7.如权利要求4所述的物镜保护装置，其特征在于，所述送气单元还设有若干个非送气面，所述非送气面上不设有所述送气口。8.如权利要求7所述的物镜保护装置，其特征在于，所述非送气面与所述送气面呈一夹角。9.如权利要求8所述的物镜保护装置，其特征在于，所述夹角范围为85°～95°。10.如权利要求1所述的物镜保护装置，其特征在于，所述抽排单元具有第一抽气面，所述第一抽气面设有第一抽气口，所述第一抽气面垂直于所述送气单元的送气方向。11.如权利要求10所述的物镜保护装置，其特征在于，所述第一抽气面包括不在一个平面的多个子第一抽气面。12.如权利要求11所述的物镜保护装置，其特征在于，所述多个子第一抽气面之间平行分布。13.如权利要求10所述的物镜保护装置，其特征在于，所述抽排单元还设有非抽气面，所述非抽气面上不设有所述第一抽气口。14.如权利要求13所述的物镜保护装置，其特征在于，所述非抽气面与所述第一抽气面呈一夹角。15.如权利要求10所述的物镜保护装置，其特征在于，所述夹角为85°～95°。16.如权利要求1所述的物镜保护装置，其特征在于，所述送气单元上具有若干送气口，所述抽排单元具有若干第一抽气口，所述若干送气口与所述若干第一抽气口对向设置。17.如权利要求16所述的物镜保护装置，其特征在于，所述若干送气口与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李先明，郝保同，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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