一种光刻仿真系统技术方案

本发明专利技术提供一种光刻仿真系统，涉及半导体技术领域。所述系统包括：掩模，所述掩模包括透光区域和不透光区域；照明光源，用于发出光束；投影成像透镜系统，从所述掩模透过的至少部分光经所述投影成像透镜系统后照射到衬垫区并形成光斑，其中，所述衬垫区设置在晶圆上；光瞳探测器，设置在所述投影成像透镜系统的光瞳面位置，其中所述光瞳探测器用于接收所述光斑从所述晶圆表面反射回的光形成光瞳图像并探测和输出所述光瞳图像。该光刻仿真系统通过硬件辅助方式能够提高光刻仿真精度，并降低计算量，还能用于对晶圆表面的一些例如粗糙度的检测，以及改善足部或底切等缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻仿真系统
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种光刻仿真系统。
技术介绍
光刻是大规模集成电路制造的关键环节，是互补金属氧化物半导体(CMOS)和片上系统(SOC)制造的关键工艺，随着大规模集成电路进入纳米时代，光刻技术变得越来越复杂，光刻仿真能够帮助半导体技术人员模拟光刻工艺，缩短开发周期，提高产品质量，是版图设计的必要工具。传统关于空间像(aerialimage)、驻波(standingwave)和反射率(reflectivity)的光刻仿真在仿真精度和计算量之间斗争。常用的时域有限差分法(FDTD，Finite-DifferenceTime-Domain)虽然具有良好的精度，但是其计算量过大，使得仿真周期很长，而如果不使用时域有限差分法(FDTD)，则相干性的复杂度(complexityofcoherence)总是低于其他近似法(approximation)的精度，不能保证仿真的精度。因此，通过光刻仿真无法实现抗蚀剂(resist)或光阻轮廓或关键尺寸(CD)的容易控制。因此，为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种光刻仿真系统。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻仿真系统，其特征在于，所述系统包括：掩模，所述掩模包括透光区域和不透光区域；照明光源，用于发出光束；投影成像透镜系统，从所述掩模透过的至少部分光经所述投影成像透镜系统后照射到衬垫区并形成光斑，其中，所述衬垫区设置在晶圆上；光瞳探测器，设置在所述投影成像透镜系统的光瞳面位置，其中所述光瞳探测器用于接收所述光斑从所述晶圆表面反射回的光形成光瞳图像并探测和输出所述光瞳图像。

【技术特征摘要】
1.一种光刻仿真系统，其特征在于，所述系统包括：掩模，所述掩模包括透光区域和不透光区域；照明光源，用于发出光束；投影成像透镜系统，从所述掩模透过的至少部分光经所述投影成像透镜系统后照射到衬垫区并形成光斑，其中，所述衬垫区设置在晶圆上；光瞳探测器，设置在所述投影成像透镜系统的光瞳面位置，其中所述光瞳探测器用于接收所述光斑从所述晶圆表面反射回的光形成光瞳图像并探测和输出所述光瞳图像。2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述掩模仅对所述衬垫区透光，所述掩模上的其他区域均不透光。3.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述投影成像透镜系统等效成包括前组透镜和后组透镜，其中所述后组透镜的前焦平面位置，即所述投影成像透镜系统的光瞳面位置。4.如权利要求3所述的系统，其特征在于，所述前组透镜包括第一透镜，从所述掩模透过的光照射到所述第一透镜，并从所述第一透镜透过后改变为平行光，所述平行光照射到所述后组透镜上。5.如权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括图像处理分析模块，用于接收所述光瞳图像，并根据该光瞳图像信息计算分析与所述光瞳图像相关的各种数据。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：柏耸，邢滨，刘畅，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31