一种曝光方法技术

本发明专利技术公开了一种曝光方法，属于半导体技术领域。包括：提供一芯片，芯片上设有第一标记、第二标记、以及待曝光的光刻胶；将芯片放置在卡盘上，卡盘内填充有调节温度的液体；将掩膜版与芯片相对设置，掩膜版上与第一标记对应的区域在芯片上的投影和第一标记重合；当掩膜版上与第二标记对应的区域在芯片上的投影位于第一标记和第二标记之间时，降低卡盘内填充的液体的温度；当第二标记位于第一标记和掩膜版上与第二标记对应的区域在芯片上的投影之间时，升高卡盘内填充的液体的温度；当掩膜版上与第二标记对应的区域在芯片上的投影和第二标记重合时，透过掩膜版对光刻胶进行曝光。本发明专利技术可改善图形的错位。

【技术实现步骤摘要】
一种曝光方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种曝光方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)是一种将电能转化为光能的半导体电子元件。LED于1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出发出其它单色光的LED。自20世纪90年代氮化镓(GaN)基LED由日本科学家开发成功以来，LED的工艺技术不断进步，LED的发光亮度不断提高，LED的应用领域也越来越广。LED具有低电压、低功耗、体积小、重量轻、寿命长、可靠性高等优点，正在迅速广泛地应用在交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源、户外全彩显示屏等领域。尤其在照明领域，LED已经得到了极大的应用，发挥了独特的不可替代的作用。芯片是LED的核心组件。现有的LED芯片的制作方法包括：在衬底上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；在P型半导体层上开设延伸至N型半导体层的凹槽；在P型半导体层上形成电流阻挡层，电流阻挡层包括环形结构；在电流阻挡层和环形结构外的P型半导体层上形成透明导电层；在透明导电层和环形结构内的P型半导体层上形成P型电极，并在凹槽内的N型半导体层上形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种曝光方法，其特征在于，所述曝光方法包括：提供一芯片，所述芯片上设有第一标记、第二标记、以及待曝光的光刻胶；将所述芯片放置在卡盘上，所述卡盘内填充有调节温度的液体；将掩膜版与所述芯片相对设置，所述掩膜版上与所述第一标记对应的区域在所述芯片上的投影和所述掩膜版上与所述第二标记对应的区域在所述芯片上的投影的连线，与所述第一标记和所述第二标记的连线位于同一条直线上，且所述掩膜版上与所述第一标记对应的区域在所述芯片上的投影和所述第一标记重合；当所述掩膜版上与所述第二标记对应的区域在所述芯片上的投影位于所述第一标记和所述第二标记之间时，降低所述卡盘内填充的液体的温度；当所述第二标记位于所述第一标记...

【技术特征摘要】
1.一种曝光方法，其特征在于，所述曝光方法包括：提供一芯片，所述芯片上设有第一标记、第二标记、以及待曝光的光刻胶；将所述芯片放置在卡盘上，所述卡盘内填充有调节温度的液体；将掩膜版与所述芯片相对设置，所述掩膜版上与所述第一标记对应的区域在所述芯片上的投影和所述掩膜版上与所述第二标记对应的区域在所述芯片上的投影的连线，与所述第一标记和所述第二标记的连线位于同一条直线上，且所述掩膜版上与所述第一标记对应的区域在所述芯片上的投影和所述第一标记重合；当所述掩膜版上与所述第二标记对应的区域在所述芯片上的投影位于所述第一标记和所述第二标记之间时，降低所述卡盘内填充的液体的温度；当所述第二标记位于所述第一标记和所述掩膜版上与所述第二标记对应的区域在所述芯片上的投影之间时，升高所述卡盘内填充的液体的温度；当所述掩膜版上与所述第二标记对应的区域在所述芯片上的投影和所述第二标记重合时，透过所述掩膜版对所述光刻胶进行曝光。2.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述第一标记和所述第二标记的连线位于所述芯片的中线上，且所述第一标记和所述第二标记与所述芯片的中心之间的距离相等。3.根据权利要求1或2所述的曝光方法，其特征在于，所述掩膜版设置在恒温环境中。4.根据权利要求1或2所述的曝光方法，其特征在于，所述掩膜版的材料采用熔融石英。5.根据权利要求1或2所述的曝光方法，其特征在于，所述芯片上还设有第三标记和第四标记，所述第三标记和所述第四标记的连线平行于所述第一标记和所述第二标记的连...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，顾小云，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33