一种曝光装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种曝光装置。该曝光装置包括：进料检测单元、传输单元和曝光单元；进料检测单元用于对基底进行检测，并判定基底为合格基底或待处理基底；传输单元用于将合格基底传输至曝光单元；曝光单元用于对合格基底进行曝光。该技术方案可仅允许检测合格的基底传输至曝光单元进行曝光，减少了对检测不合格的基底传输至曝光单元进行曝光时带来的损耗，从而减少了曝光工艺的成本，同时提高了曝光产率，从而提高了产能。

【技术实现步骤摘要】
一种曝光装置
本技术实施例涉及显示面板制造
，尤其涉及一种曝光装置。
技术介绍
光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将图案形成单元上的图形转移到基底上的技术。其主要过程为：首先光线通过图案形成单元照射到形成有一层光刻胶层的基底表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶(前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶)，使图案形成单元上的图形被复制到光刻胶层上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基底上。自动化光刻制程中，存在不合格的基底在生产线上流转的情况，导致产能较低，且基底的曝光成本整体较高。
技术实现思路
本技术提供一种曝光装置，以提高产能，降低曝光成本。第一方面，本技术实施例提出一种曝光装置，该曝光装置包括：进料检测单元、传输单元和曝光单元；所述进料检测单元用于对基底进行检测，并判定所述基底为合格基底或待处理基底；所述传输单元用于将所述合格基底传输至所述曝光单元；所述曝光单元用于对所述合格基底进行曝光。进一步地，所述进料检测单元包括温度检测子单元、厚度检测子单元和气体挥发物检测子单元中的至少一个，所述温度检测子单元用于检测所述基底的温度，当所述基底的温度不在预设温度阈值范围内时，判定所述基底为所述待处理基底；所述厚度检测子单元用于检测所述基底的厚度，当所述基底的厚度不在预设厚度阈值范围内时，判定所述基底为所述待处理基底；所述气体挥发物检测子单元用于检测所述基底的气体挥发物，当所述基底的气体挥发物不在预设气体挥发物阈值范围内时，判定所述基底为所述待处理基底。进一步地，所述温度检测子单元包括温度测量传感器；所述厚度检测子单元包括椭偏仪或轮廓仪；所述气体挥发物检测子单元包括气体挥发物传感器。进一步地，所述进料检测单元还包括预对准子单元；所述预对准子单元用于对所述基底进行预对准。进一步地，所述预对准子单元包括基底旋转部件和边缘传感器；所述基底旋转部件用于放置基底，并调节基底的旋转角度；所述边缘传感器位于所述基底远离所述基底旋转部件的一侧，用于检测基底的位置。进一步地，所述进料检测单元还包括第一污染物检测子单元；所述第一污染物检测子单元用于检测预对准后的所述基底的第一污染物含量，当所述基底的第一污染物含量不在预设第一污染物含量阈值范围内时，判定所述基底为所述待处理基底。进一步地，所述第一污染物检测子单元包括光学成像部件；所述第一污染物含量包括第一污染物的数量和成像面积。进一步地，所述进料检测单元还包括对准标记测量子单元、调焦调平子单元和面型测量子单元中的至少一种；所述对准标记测量子单元用于测量所述合格基底的对准标记的位置；所述调焦调平子单元用于对所述合格基底进行调焦调平；所述面型测量子单元用于测量所述合格基底的吸附面型。进一步地，该曝光装置还包括出料检测单元；所述出料检测单元用于检测曝光后的所述基底，并判定曝光后的所述基底为合格曝光基底或不合格曝光基底。进一步地，所述出料检测单元包括散射测量子单元和出料运动台子单元；所述出料运动台子单元用于放置曝光后的所述基底；所述散射测量子单元用于测量曝光后的所述基底的套刻偏移量，当所述套刻偏移量不在预设套刻偏移量阈值范围内时，判定曝光后的所述基底为所述不合格曝光基底。进一步地，所述出料检测单元还包括第二污染物检测子单元；所述第二污染物检测子单元用于检测曝光后的所述基底的第二污染物含量，当曝光后的所述基底的第二污染物含量不在第二污染物含量阈值范围内时，判定曝光后的所述基底为不合格曝光基底。进一步地，该曝光装置还包括控制分析单元和基底存放盒；所述进料检测单元还用于将所述待处理基底的信息发送给所述控制分析单元，和/或所述出料检测单元将所述不合格曝光基底的信息发送给所述控制分析单元；所述控制分析单元用于存储所述待处理基底的信息和/或所述不合格曝光基底的信息，且根据所述待处理基底的信息，判定所述待处理基底执行等候再检测操作，或者判定所述待处理基底为不合格基底；所述基底存放盒用于存放所述不合格基底和/或所述不合格曝光基底。进一步地，所述基底存放盒包括警示子单元；所述警示子单元用于在所述基底存放盒存放的所述不合格基底和所述不合格曝光基底的数量之和等于或者大于预设存放数量阈值时，发出警示。本技术实施例提供的曝光装置，包括进料检测单元、传输单元和曝光单元，通过设置进料检测单元用于对基底进行检测，并判定基底为合格基底或待处理基底；传输单元用于将合格基底传输至曝光单元；曝光单元用于对合格基底进行曝光，可仅允许检测合格的基底传输至曝光单元进行曝光，避免了检测不合格的基底传输至曝光单元进行曝光时带来的曝光工艺中原材料以及工艺制程时间上的损耗，从而减少了曝光工艺的成本，同时提高了曝光量率，从而提高了产能。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术实施例提供的一种曝光装置的结构示意图；图2是本技术实施例提供的一种进料检测单元的结构示意图；图3是本技术实施例提供的另一种进料检测单元的结构示意图；图4是本技术实施例提供的又一种进料检测单元的结构示意图；图5是本技术实施例提供的另一种曝光装置的结构示意图；图6是本技术实施例提供的一种出料检测单元的结构示意图；图7是本技术实施例提供的又一种曝光装置的结构示意图；图8是本技术实施例提供的一种曝光方法的流程示意图；图9是本技术实施例提供的另一种曝光方法的流程示意图；图10是本技术实施例提供的又一种曝光方法的流程示意图；图11是本技术实施例提供的又一种曝光方法的流程示意图；图12是本技术实施例提供的又一种曝光方法的流程示意图；图13是本技术实施例提供的又一种曝光方法的流程示意图；图14是本技术实施例提供的又一种曝光方法的流程示意图；图15是本技术实施例提供的一种半导体器件的制造方法的流程示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。图1是本技术实施例提供的一种曝光装置的结构示意图。参照图1，该曝光装置包括：进料检测单元11、传输单元12和曝光单元13；进料检测单元11用于对基底10进行检测，并判定基底10为合格基底或待处理基底10；传输单元12用于将合格基底10传输至曝光单元13；曝光单元13用于对合格基底10进行曝光。其中，基底01的表面包括一层光刻胶层。示例性的，基底可包括单晶以及多晶硅片、蓝宝石、半导体化合物、玻璃等刚性基底，环氧树脂、聚酰亚胺等柔性基底，以及形成有膜层(导电膜层或绝缘膜层)结构的上述刚性基底或柔性基底。需要说明的是，基底的具体材料可根据产品的实际需求设置，本技术对此不作限定。同时，形成光刻胶层的方式可包括旋涂、喷涂或刮涂等涂覆光刻胶的工艺，可根据光刻胶材的粘度等光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种曝光装置，其特征在于，包括：进料检测单元、传输单元和曝光单元；所述进料检测单元用于对基底进行检测，并判定所述基底为合格基底或待处理基底；所述传输单元用于将所述合格基底传输至所述曝光单元；所述曝光单元用于对所述合格基底进行曝光。

【技术特征摘要】
1.一种曝光装置，其特征在于，包括：进料检测单元、传输单元和曝光单元；所述进料检测单元用于对基底进行检测，并判定所述基底为合格基底或待处理基底；所述传输单元用于将所述合格基底传输至所述曝光单元；所述曝光单元用于对所述合格基底进行曝光。2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述进料检测单元包括温度检测子单元、厚度检测子单元和气体挥发物检测子单元中的至少一个，所述温度检测子单元用于检测所述基底的温度，当所述基底的温度不在预设温度阈值范围内时，判定所述基底为所述待处理基底；所述厚度检测子单元用于检测所述基底的厚度，当所述基底的厚度不在预设厚度阈值范围内时，判定所述基底为所述待处理基底；所述气体挥发物检测子单元用于检测所述基底的气体挥发物，当所述基底的气体挥发物不在预设气体挥发物阈值范围内时，判定所述基底为所述待处理基底。3.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述温度检测子单元包括温度测量传感器；所述厚度检测子单元包括椭偏仪或轮廓仪；所述气体挥发物检测子单元包括气体挥发物传感器。4.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述进料检测单元还包括预对准子单元；所述预对准子单元用于对所述基底进行预对准。5.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，所述预对准子单元包括基底旋转部件和边缘传感器；所述基底旋转部件用于放置基底，并调节基底的旋转角度；所述边缘传感器位于所述基底远离所述基底旋转部件的一侧，用于检测基底的位置。6.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，所述进料检测单元还包括第一污染物检测子单元；所述第一污染物检测子单元用于检测预对准后的所述基底的第一污染物含量，当所述基底的第一污染物含量不在预设第一污染物含量阈值范围内时，判定所述基底为所述待处理基底。7.根据权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，所述第一污染物检测子单元包括光学成像部件；所述第一污染物含量包括第一污染物的数量和成像面积。8.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇辉，张俊，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31