【技术实现步骤摘要】
一种光刻照明装置及曝光系统
本技术实施例涉及光学设备技术，尤其涉及一种光刻照明装置及曝光系统。
技术介绍
半导体制造中的微光刻技术就是利用光学系统把掩模板上的图形精确地投影曝光到涂过光刻胶的硅片上。曝光系统包括光刻照明装置、掩模板、投影物镜以及用于精确对准硅片的工件台。光刻照明装置需要在掩膜面上提供均匀的矩形视场，然后通过投影物镜将掩模板上的图形投影到硅片上进行曝光。随着半导体产业的发展，对光刻技术的光刻照明装置的要求也在提高。光刻照明装置需要提供均匀的照明视场，此问题亟待解决。
技术实现思路
本技术实施例提供一种光刻照明装置及曝光系统，以实现提供均匀的照明视场。第一方面，本技术实施例提供一种光刻照明装置，包括：同光轴设置并依次排列的第一衍射光学元件、变焦镜组、第二衍射光学元件、会聚镜组和匀光单元，所述光刻照明装置还包括位于匀光单元远离会聚镜组一侧的中继镜组；经过所述第二衍射光学元件的光束的远场分布为椭圆形或者多边形；所述多边形的边数大于等于5。可选地，所述变焦镜组的远离所述第一衍射光学元件一侧的焦平面为瞳面，所述第二衍射光学元件位于所述瞳面上。可选地，所述匀光单元为石英...
【技术保护点】
1.一种光刻照明装置，其特征在于，包括：同光轴设置并依次排列的第一衍射光学元件、变焦镜组、第二衍射光学元件、会聚镜组和匀光单元，所述光刻照明装置还包括位于匀光单元远离会聚镜组一侧的中继镜组；经过所述第二衍射光学元件的光束的远场分布为椭圆形或者多边形；所述多边形的边数大于等于5。
【技术特征摘要】
1.一种光刻照明装置，其特征在于，包括：同光轴设置并依次排列的第一衍射光学元件、变焦镜组、第二衍射光学元件、会聚镜组和匀光单元，所述光刻照明装置还包括位于匀光单元远离会聚镜组一侧的中继镜组；经过所述第二衍射光学元件的光束的远场分布为椭圆形或者多边形；所述多边形的边数大于等于5。2.根据权利要求1所述的光刻照明装置，其特征在于，所述变焦镜组的远离所述第一衍射光学元件一侧的焦平面为瞳面，所述第二衍射光学元件位于所述瞳面上。3.根据权利要求1所述的光刻照明装置，其特征在于，所述匀光单元为石英棒。4.根据权利要求1所述的光刻照明装置，其特征在于，所述匀光单元的受光面的形状为矩形，所述矩形沿第一方向的长边长度为a，所述矩形沿第二方向的短边长度为b。5.根据权利要求4所述的光刻照明装置，其特征在于，沿所述第一方向上，经过所述第二衍射光学元件的光束的发散角θ1满足：沿所述第二方向上，经过所述第二衍射光学元件的光束的发散角θ2满足：其中，f为所述会聚镜组的焦距。6.根据权利要求4所述的光刻照明装置，其特征在于，经过所述第二衍射光学元件的光束的远场分布为椭圆形；经过所述第二衍射光学元件的光束的远场分布的远心为[-1,1]mrad，所述远心为主光线与光轴的夹角。7.根据权利要求4所述的光刻照明装置，其特征在于，经过所述第二衍射光学元件的光束的远场分布为椭圆形；被均分为i个角平面区域的光束的极平衡性为：其中，Ei为角平面中第i区域的光强总和，max(E1，……，Ei)为i个区域中光强最大的一个区域的光强值，min(E1，……，Ei)为i个区域中光强...
【专利技术属性】
技术研发人员：尉佩，田毅强，徐建旭，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31
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