一种GaN器件及其制造方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种GaN器件及其制造方法、电子装置。所述方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成3C‑SIC层、缓冲层、应力层以及GaN材料层。通过所述方法形成的所述GaN器件的性能和良率得到极大的提高。

【技术实现步骤摘要】
一种GaN器件及其制造方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种GaN器件及其制造方法、电子装置。
技术介绍
随着集成电路技术的持续发展，芯片上将集成更多器件，芯片也将采用更快的速度。在这些要求的推进下，器件的几何尺寸将不断缩小，在芯片的制造工艺中不断采用新材料、新技术和新的制造工艺。目前半导体器件的制备已经发展到纳米级别，同时常规器件的制备工艺逐渐成熟。在过去几十年里，基于硅基器件和电子器件的设计和制造方面取得的进步已经证明了硅基器件的扩展能力和电路复杂度非常卓越的水平。GaN材料作为宽禁带半导体的典型代表，具有工作温度高、功率输出密度大、高频性能好、抗辐射能力强等优点，GaNHEMT(HighElectronMobilityTransistor，高电子迁移率晶体管)器件是目前广泛使用的第三代半导体器件。将硅基器件和GaN基器件集成在同一芯片上是非常值得期待的，以便提高高级应用程序的功能和设计灵活性。GaN基材料因用于制备具有高亮度发光二极管(led)、电源切换装置、调节装置、电池保护器、面板显示驱动器、通讯设备等设备具有吸引力。使用GaN基材料制备的器件通常形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaN器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成3C‑SIC层、缓冲层、应力层以及GaN材料层。

【技术特征摘要】
1.一种GaN器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成3C-SIC层、缓冲层、应力层以及GaN材料层。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述3C-SIC层的沉积气源包括SiHCl3、C3H8和H2；和/或所述3C-SIC层的沉积压力为0.1Torr-1Torr；和/或所述3C-SIC层的沉积温度为950℃-1200℃；和/或所述3C-SIC层的厚度为0.1μm-1.0μm。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括在所述GaN材料层上形成势垒层的步骤。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述势垒层包括AlGaN层和AlN层中的至少一种。5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述势垒层包括AlGaN层，所述AlGaN层的沉积气源包括三甲基镓、三甲基铝和氢气；和/或所述AlGaN层的沉积压力为0.1Torr-0.3Torr；和/或所述AlGaN层的沉积温度为1100℃-1300℃。6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述缓冲层包括AlN层和GaN层，其中，所述AlN层的厚度为20nm-100nm，所述GaN层的厚度为20nm-100nm。7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述应力层包括若干层由AlN层和GaN层交替设置的叠层。8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述应力层包括至少10层所述叠层，每层所述叠层中所述AlN层的厚度为3nm-10nm，所述GaN层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31