一种高性能晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术属于电子技术领域，公开了一种高性能晶体管及其制造方法，包括多晶衬底层、键合层、第一非掺杂GaN层、AlGaN层、源电极、漏电极以及栅电极；其中，键合层设置在多晶衬底层第一表面；第一非掺杂GaN层设置在键合层第一表面；AlGaN层设置在非掺杂GaN层第一表面；源电极和漏电极间隔设置在AlGaN层第一表面；栅极设置在AlGaN层第一表面的源电极和漏电极之间区域；由于通过键合和衬底移除技术将AlGaN/GaN器件转移到高导热多晶衬底材料上，有效提高了器件在高频应用时散热性能，从而提高器件及其应用的系统的可靠性；增加了产品的市场竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种高性能晶体管及其制造方法
本专利技术属于电子
，尤其涉及高性能晶体管及其制造方法。
技术介绍
传统市场上的高性能晶体管具有：未掺杂GaN沟道层、与未掺杂GaN沟道层接触的AlGaN电子施主层、提供在AlGaN电子施主层上的未掺杂GaN层、提供在未掺杂GaN层上并彼此间隔开的源电极和漏电极、提供在源电极和漏电极之间的区域中并穿透未掺杂GaN层的凹槽、埋入凹槽并在其底部表面与AlGaN电子施主层相接触的栅电极、在栅电极和漏电极之间区域中提供在未掺杂GaN层上的SiN膜以及高电阻率SiC衬底。由于高电阻率SiC衬底为单晶结构，其导热性能差，在高频应用时器件散热效果差，从而导致高性能晶体管及其所应用的系统可靠性差。传统的高性能晶体管存在高频应用时器件散热效果差从而导致可靠性差的缺陷。
技术实现思路
本专利技术提供了一种高性能晶体管及其制造方法，旨在解决传统技术高性能晶体管中存在在高频和功率应用时器件散热效果差从而导致可靠性差的问题。本专利技术是这样实现的，一种高性能晶体管，包括：多晶衬底层；设置在所述多晶衬底层第一表面的键合层；设置在所述键合层第一表面的第一非掺杂GaN层；设置在所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高性能晶体管，其特征在于，包括：多晶衬底层；设置在所述多晶衬底层第一表面的键合层；设置在所述键合层第一表面的第一非掺杂GaN层；设置在所述第一非掺杂GaN层第一表面的AlGaN层；间隔设置在所述AlGaN层第一表面的源电极和漏电极；及设置在所述AlGaN层第一表面，且位于所述源电极和所述漏电极之间区域的栅电极。

【技术特征摘要】
1.一种高性能晶体管，其特征在于，包括：多晶衬底层；设置在所述多晶衬底层第一表面的键合层；设置在所述键合层第一表面的第一非掺杂GaN层；设置在所述第一非掺杂GaN层第一表面的AlGaN层；间隔设置在所述AlGaN层第一表面的源电极和漏电极；及设置在所述AlGaN层第一表面，且位于所述源电极和所述漏电极之间区域的栅电极。2.根据权利要求1所述的高性能晶体管，其特征在于，还包括分别设置在所述AlGaN层与所述源电极之间以及在所述AlGaN层与所述漏电极之间的两个高掺杂GaN层。3.根据权利要求2所述的高性能晶体管，其特征在于，高掺杂GaN层为N型掺杂。4.根据权利要求1所述的高性能晶体管，其特征在于，所述AlGaN层为高温AlGaN层，Al组分在0.15到0.5之间。5.根据权利要求1所述的高性能晶体管，其特征在于，所述第一非掺杂GaN层和所述AlGaN层均为单晶结构。6.根据权利要求1所述的高性能晶体管，其特征在于，所述栅电极的第二表面位于所述AlGaN层第一表面和所述AlGaN层第二表面之间。7.根据权利要求1所述的高性能晶体管，其特征在于，所述多晶衬底层为高导热材料。8.一种高性能晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：在单晶衬底第二表面生长第二非掺杂GaN层；在所述第二非掺杂GaN层第二表面化学气相沉淀或分子束外延AlGaN层；在所述AlGaN层第二表面生长第一非掺杂GaN层；将多晶衬底与所述第一非掺杂GaN层的第二表面进行键合；移除所述单晶衬底；移除所述第二非掺杂GaN层；在所述AlGaN层第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宇，丁庆，吴光胜，冯军正，蓝永海，
申请(专利权)人：深圳市华讯方舟微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44