半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体装置，具备：第1半导体层；第2半导体层；第3半导体层，漏极电极，源极电极，导通电极，处于第2半导体层的与有第3半导体层的一侧相反侧，具有贯通第2半导体层及所述第3半导体层的第2凸部分，其前端位于第1半导体层的内部；栅极电极，处于第2半导体层的与有第3半导体层的一侧相反侧，处于源极电极与导通电极间；第1绝缘层，处于栅极电极与第2半导体层间，第1半导体层包括：第1区域，为第1导电类型；第2区域，处于第1区域与漏极电极间且为第2导电类型；第3区域，处于导通电极的第2凸部与第1区域间且为第2导电类型；第4区域，处于第3半导体层与第1区域之间，处于源极电极与导通电极间且为第1导电类型。

Semiconductor Device

The invention provides a semiconductor device, comprising: a first semiconductor layer; a second semiconductor layer; a third semiconductor layer, a drain electrode, a source electrode and a conducting electrode, which are opposite to one side of the third semiconductor layer in the second semiconductor layer, and a second convex part through the second semiconductor layer and the third semiconductor layer, with a front end located inside the first semiconductor layer and located in the gate electrode; The second semiconductor layer is on the opposite side of the third semiconductor layer, between the source electrode and the conducting electrode; the first insulating layer is between the gate electrode and the second semiconductor layer, and the first semiconductor layer includes: the first region is the first conductive type; the second region is the second conductive type between the first region and the drain electrode; and the third region is the second convex part and the first region of the conductive electrode. The fourth region is between the third semiconductor layer and the first region, between the source electrode and the conducting electrode, and is the first conducting type.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置关联申请的引用本申请以在2017年6月16日申请的日本专利申请第2017-118990号的优先权的权益为基础且谋求其权益，其内容整体通过引用而包含在这里。
实施方式涉及半导体装置。
技术介绍
对用于电力控制的开关电路、逆变器电路使用功率半导体元件。功率半导体元件要求高耐压且高载流子移动度，但使用了硅(Si)的功率半导体元件的耐压和载流子移动度正在达到基于Si的物理特性的极限。近年来，期待带隙比Si宽的、碳化硅和氮化物半导体作为功率半导体材料而被广泛使用。使用了碳化硅的纵向半导体元件具备高的耐压性，但载流子移动度比使用了Si的半导体元件差。另一方面，具有使用了氮化物半导体的异质结界面的横向半导体元件具备超过Si的高的载流子移动度，但存在难以形成为高耐压这样的问题。因而，期望兼具高耐压性和高载流子移动度这两方的功率半导体元件。
技术实现思路
实施方式想要解决的课题在于提供同时实现高耐压和高载流子移动度的半导体装置。实施方式提供一种半导体装置，具备：第1半导体层，是碳化硅；第2半导体层，是氮化物半导体；第3半导体层，与所述第2半导体层相接，处于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：第1半导体层，是碳化硅；第2半导体层，是氮化物半导体；第3半导体层，与所述第2半导体层相接，处于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，且是氮化物半导体；漏极电极，处于所述第1半导体层的与存在所述第3半导体层的一侧相反的一侧；源极电极，处于所述第2半导体层的与存在所述第3半导体层的一侧相反的一侧，并且具有第1凸部，所述第1凸部贯通所述第2半导体层以及所述第3半导体层的各个半导体层，所述第1凸部的前端位于所述第1半导体层的内部；导通电极，处于所述第2半导体层的与存在所述第3半导体层的一侧相反的一侧，并且具有第2凸部，所述第2凸部贯通所述第2半导体层以及所述第3半导体层的...

【技术特征摘要】
2017.06.16 JP 2017-1189901.一种半导体装置，具备：第1半导体层，是碳化硅；第2半导体层，是氮化物半导体；第3半导体层，与所述第2半导体层相接，处于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，且是氮化物半导体；漏极电极，处于所述第1半导体层的与存在所述第3半导体层的一侧相反的一侧；源极电极，处于所述第2半导体层的与存在所述第3半导体层的一侧相反的一侧，并且具有第1凸部，所述第1凸部贯通所述第2半导体层以及所述第3半导体层的各个半导体层，所述第1凸部的前端位于所述第1半导体层的内部；导通电极，处于所述第2半导体层的与存在所述第3半导体层的一侧相反的一侧，并且具有第2凸部，所述第2凸部贯通所述第2半导体层以及所述第3半导体层的各个半导体层，所述第2凸部的前端位于所述第1半导体层的内部；栅极电极，处于所述第2半导体层的与存在所述第3半导体层的一侧相反的一侧，并且处于所述源极电极与所述导通电极之间；以及第1绝缘层，处于所述栅极电极与所述第2半导体层之间，所述第1半导体层包括：第1区域，是第1导电类型；第2区域，处于所述第1区域与所述漏极电极之间，且是第1导电类型；第3区域，处于所述导通电极的所述第2凸部与所述第1区域之间，且是第1导电类型；以及第4区域，处于所述第3半导体层与所述第1区域之间，并且处于所述源极电极与所述导通电极之间，且是第2导电类型。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极电极还具有第3凸部，所述栅极电极的所述第3凸部位于所述第2半导体层的内部。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还具备第2绝缘层，该第2绝缘层处于所述导通电极的所述第2凸部与所述第3半导体层之间。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第3区域还包括第5区域和第6区域，所述第5区域与所述第6区域交替地位于从所述源极电极朝向所述导通电极的方向。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山将央，池田健太郎，高尾和人，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本,JP