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本发明提供半导体装置，具备：第1半导体层；第2半导体层；第3半导体层，漏极电极，源极电极，导通电极，处于第2半导体层的与有第3半导体层的一侧相反侧，具有贯通第2半导体层及所述第3半导体层的第2凸部分，其前端位于第1半导体层的内部；栅极电极，...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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