In this patent application, a semiconductor device is involved, including a channel layer, a carrier generation layer disposed on the channel layer, and a source contact disposed on the carrier generation layer. Semiconductor devices may include drain contacts arranged on the carrier generation layer, gate contacts arranged between source contacts and drain contacts, and multiple conductive strip parts electrically coupled with drain contacts.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件本申请是申请日为2017年11月17日、申请号为201721551096.6、专利技术创造名称为“半导体器件”的技术专利申请的分案申请。相关申请本申请要求于2016年11月17日递交的美国临时专利申请No.62/423,547的优先权和权益，其全部内容以引用的方式合并到本申请中。
本申请总体上涉及半导体器件。更具体地说，本申请描述了包括具有减小的动态阻抗的高电子迁移率晶体管(HEMT)的半导体器件。
技术介绍
包含集成电路(IC)或分立器件的半导体器件用于各种各样的电子设备。IC器件(或芯片或分立器件)可包括在半导体材料的衬底的表面中制造的小型化的电子电路。电路由许多重叠的层构成，这些重叠的层包括包含可以扩散到衬底中的掺杂剂的层(称为扩散层)或包含植入衬底中的离子的层(植入层)。其它层是导体层(多晶硅或金属层)或导电层之间的连接层(通孔或接触层)。IC器件或分立器件可以以逐层工艺制造，该逐层工艺使用包括映像、沉积、蚀刻、掺杂和清洁的许多步骤的组合。硅晶圆通常用作衬底，光刻用于标记衬底的待掺杂或沉积的不同区域并限定多晶硅层、绝缘层或金属层。一种类型的半导体...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：沟道层；设置在所述沟道层上的载流子产生层；设置在所述载流子产生层上的源极接触；设置在所述载流子产生层上的漏极接触；设置在所述源极接触和所述漏极接触之间的栅极接触；以及与所述漏极接触电耦合的多个导电条部分。
【技术特征摘要】
2016.11.17 US 62/423,547;2017.11.08 US 15/807,2371.一种半导体器件，其特征在于，包括：沟道层；设置在所述沟道层上的载流子产生层；设置在所述载流子产生层上的源极接触；设置在所述载流子产生层上的漏极接触；设置在所述源极接触和所述漏极接触之间的栅极接触；以及与所述漏极接触电耦合的多个导电条部分。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件进一步包括：分隔件，设置在所述栅极接触和所述载流子产生层之间。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件进一步包括：分隔件，设置在所述栅极接触和所述载流子产生层之间，并具有与所述多个导电条部分的厚度相同的厚度。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件进一步...
【专利技术属性】
技术研发人员：全祐哲，阿里·萨利赫，沃恩埃德蒙兹·卢埃林，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国,US
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