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在本专利申请中涉及一种半导体器件，包括：沟道层、设置在沟道层上的载流子产生层、以及设置在载流子产生层上的源极接触。半导体器件可包括设置在载流子产生层上的漏极接触、设置在源极接触和漏极接触之间的栅极接触、以及与漏极接触电耦合的多个导电条部分。...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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