氮化物半导体外延衬底及半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及氮化物半导体外延衬底及半导体器件。本发明专利技术的课题在于抑制使用氮化物半导体外延衬底构成高电子迁移率晶体管时的二维电子气的经时变化。本发明专利技术的解决手段为一种氮化物半导体外延衬底，其具备衬底、作为存在有二维电子气的电子渡越层的第一氮化物半导体层、和作为电子供给层的第二氮化物半导体层，其中，对于第二氮化物半导体层而言，氢浓度为比第一氮化物半导体层高的浓度，并且，包含与第一氮化物半导体层的氢浓度差为2×10

【技术实现步骤摘要】
氮化物半导体外延衬底及半导体器件
本专利技术涉及氮化物半导体外延衬底及半导体器件。
技术介绍
例如，作为高电子迁移率晶体管(HEMT：HighElectronMobilityTransistor)中可使用的氮化物半导体外延衬底，已知有如下构成的氮化物半导体外延衬底：具备在碳化硅(SiC)衬底上形成的作为电子渡越层发挥功能的氮化镓(GaN)层和在该GaN层上形成的作为电子供给层发挥功能的氮化铝镓(AlGaN)层，在GaN层的AlGaN层侧存在二维电子气(例如，参见专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-175696号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题氮化物半导体外延衬底中，关于存在于GaN层的二维电子气，例如有时可能发生其浓度减少这样的经时变化。这样的经时变化导致构成HEMT时的设备特性的变动，因而应当抑制其发生。本专利技术的目的在于提供能抑制二维电子气的经时变化的氮化物半导体外延衬底及半导体器件。用于解决课题的手段通过本专利技术的一个方式，可提供一种氮化物半导体外延衬底，其具备：衬底，在前述衬底上形成的、作为存在有二维电子气的电子渡越层的第一氮化物半导体层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.氮化物半导体外延衬底，其具备：衬底，在所述衬底上形成的、作为存在有二维电子气的电子渡越层的第一氮化物半导体层，和在所述第一氮化物半导体层上形成的作为电子供给层的第二氮化物半导体层，对于所述第二氮化物半导体层而言，氢浓度为比所述第一氮化物半导体层高的浓度，并且，包含与所述第一氮化物半导体层的氢浓度差为2×1018cm‑3以下的部分。

【技术特征摘要】
2017.06.20 JP 2017-1200781.氮化物半导体外延衬底，其具备：衬底，在所述衬底上形成的、作为存在有二维电子气的电子渡越层的第一氮化物半导体层，和在所述第一氮化物半导体层上形成的作为电子供给层的第二氮化物半导体层，对于所述第二氮化物半导体层而言，氢浓度为比所述第一氮化物半导体层高的浓度，并且，包含与所述第一氮化物半导体层的氢浓度差为2×1018cm-3以下的部分。2.如权利要求1所述的氮化物半导体外延衬底，其中，所述第二氮化物半导体层包含与所述第一氮化物半导体层的氢浓度差为8×1017cm-3以下的部分。3.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中丈士，
申请(专利权)人：赛奥科思有限公司，住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP