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本发明涉及氮化物半导体外延衬底及半导体器件。本发明的课题在于抑制使用氮化物半导体外延衬底构成高电子迁移率晶体管时的二维电子气的经时变化。本发明的解决手段为一种氮化物半导体外延衬底，其具备衬底、作为存在有二维电子气的电子渡越层的第一氮化物半导...
该专利属于赛奥科思有限公司;住友化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过赛奥科思有限公司;住友化学株式会社授权不得商用。

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