【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
MOS晶体管是现代集成电路中最重要的元件之一。MOS晶体管的基本结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，位于栅极结构一侧半导体衬底内的源区和位于栅极结构另一侧半导体衬底内的漏区。MOS晶体管的工作原理是：在栅极结构施加电压，通过调节栅极结构底部沟道的电流来产生开关信号。随着半导体技术的发展，传统的平面式的MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。而鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种新兴的多栅器件，一般包括凸出于半导体衬底表面的鳍部，覆盖部分所述鳍部的顶部表面和侧壁表面的栅极结构，位于栅极结构一侧的鳍部内的源区和位于栅极结构另一侧的鳍部内的漏区。然而，现有的鳍式场效应晶体管构成的半导体器件的性能有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部；在所述半导体衬底表面形成覆盖鳍部部分侧壁的...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部；在所述半导体衬底表面形成覆盖鳍部部分侧壁的目标隔离层，目标隔离层包括位于半导体衬底表面且与鳍部邻接的第一目标区、以及位于半导体衬底表面且与第一目标区邻接的第二目标区，所述第一目标区中具有凹陷，所述凹陷的侧壁暴露出鳍部；形成目标隔离层后，形成栅极结构，所述栅极结构横跨鳍部、覆盖鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面，且所述栅极结构位于目标隔离层表面和所述凹陷中。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部；在所述半导体衬底表面形成覆盖鳍部部分侧壁的目标隔离层，目标隔离层包括位于半导体衬底表面且与鳍部邻接的第一目标区、以及位于半导体衬底表面且与第一目标区邻接的第二目标区，所述第一目标区中具有凹陷，所述凹陷的侧壁暴露出鳍部；形成目标隔离层后，形成栅极结构，所述栅极结构横跨鳍部、覆盖鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面，且所述栅极结构位于目标隔离层表面和所述凹陷中。2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述目标隔离层的方法包括：在所述半导体衬底表面形成初始隔离层，所述初始隔离层覆盖鳍部的侧壁且暴露出鳍部的顶部表面；采用Certas刻蚀工艺刻蚀初始隔离层，使初始隔离层形成中间隔离层，中间隔离层的顶部表面低于鳍部的顶部表面，中间隔离层包括位于半导体衬底表面且与鳍部邻接的第一中间区、以及位于半导体衬底表面且与第一中间区邻接的第二中间区；采用SiCoNi刻蚀工艺刻蚀中间隔离层，SiCoNi刻蚀工艺对第一中间区的刻蚀速率大于对第二中间区的刻蚀速率，使中间隔离层形成所述目标隔离层，且使第一中间区形成目标隔离层的第一目标区，使第二中间区形成目标隔离层的第二目标区。3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述初始隔离层、中间隔离层和目标隔离层的材料为氧化硅。4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述Certas刻蚀工艺包括远程干法刻蚀和远程干法刻蚀后进行的第一原位退火；所述远程干法刻蚀的参数包括：采用的气体包括NH3和NF3，NH3的流量为200sccm～500sccm，NF3的气体流量为20sccm～200sccm，腔室压强为0.1torr～760torr，温度为-40摄氏度～25摄氏度；所述第一原位退火的参数包括：温度为60摄氏度～100摄氏度，腔室压强为0.1torr～760torr。5.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述SiCoNi刻蚀工艺包括远程等离子体刻蚀和远程等离子体刻蚀后进行的第二原位退火；所述远程等离子体刻蚀的参数包括：采用的气体包括NH3和NF3，NH3的流量为200sccm～500sccm，NF3的气体流量为20sccm～200sccm，源射频功率为50瓦～2000瓦，偏置电压为30伏～500伏，腔室压强为0.1torr～760torr，温度为-40摄氏度～25摄氏度；所述第二原位退火的参数包括：温度为60摄氏度～100摄氏度，腔室压强为0.1torr～760torr。6.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二中间区的顶部表面至鳍部的顶部表面具有第一距离，所述第二目标区的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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