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本发明提供了一种GaN器件及其制造方法、电子装置。所述方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成3C‑SIC层、缓冲层、应力层以及GaN材料层。通过所述方法形成的所述GaN器件的性能和良率得到极大的提高。...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

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