【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法
本专利技术涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种制作动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM)元件的方法。
技术介绍
随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存取存储器(DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式栅极结构的DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面栅极结构的DRAM单元。一般来说，具备凹入式栅极结构的DRAM单元会包含一晶体管元件与一电荷贮存装置，以接收来自于位线及字符线的电压信号。然而，受限于制作工艺技术之故，现有具备凹入式栅极结构的DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器元件的效能及可靠度。
技术实现思路
本专利技术一实施例公开一种制作半导体元件的方法。首先形成一第一凹槽于一基底内，然后形成一第一浅沟隔离于第一凹槽内，形成一第一图案化掩模于基底上，再利用第一图案化掩模去除部分第一浅沟隔离以形成一第二凹槽以及去除部分基...
【技术保护点】
1.一种制作半导体元件的方法，包含：形成一第一凹槽于一基底内；形成一第一浅沟隔离于该第一凹槽内；形成一第一图案化掩模于该基底上；以及利用该第一图案化掩模去除部分该第一浅沟隔离以形成一第二凹槽，以及去除部分该基底形成一第三凹槽，其中该第三凹槽下表面低于该第二凹槽下表面。
【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，包含：形成一第一凹槽于一基底内；形成一第一浅沟隔离于该第一凹槽内；形成一第一图案化掩模于该基底上；以及利用该第一图案化掩模去除部分该第一浅沟隔离以形成一第二凹槽，以及去除部分该基底形成一第三凹槽，其中该第三凹槽下表面低于该第二凹槽下表面。2.如权利要求1所述的方法，另包含：形成一第四凹槽以及该第一凹槽于该基底内；在形成该第一浅沟隔离同时形成一第二浅沟隔离于该第四凹槽内；在形成该第二凹槽及该第三凹槽后，形成一第二图案化掩模于该第一浅沟隔离上，其中该第二图案化掩模暴露出该第三凹槽以及该第二浅沟隔离；以及利用该第二图案化掩模去除部分该第二浅沟隔离。3.如权利要求2所述的方法，另包含形成该第一浅沟隔离同时形成该第二浅沟隔离于该第四凹槽内且该第一浅沟隔离上表面切齐该第二浅沟隔离上表面。4.如权利要求2所述的方法，另包含去除部分该第二浅沟隔离使该第二浅沟隔离上表面低于该第一浅沟隔离上表面。5.如权利要求4所述的方法，其中该第一浅沟隔离上表面高于该基底上表面，且该第二浅沟隔离上表面低于该基底上表面。6.如权利要求2所述的方法，另包含：去除该第二图案化掩模；形成一功函数金属层于该第二凹槽及该第三凹槽内；形成一导电层于该功函数金属层上；去除部分该导电层...
【专利技术属性】
技术研发人员：张峰溢，李甫哲，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。