SONOS器件的制造方法技术

技术编号:20223546 阅读:59 留言:0更新日期:2019-01-28 21:37
本发明专利技术公开了一种SONOS器件的制造方法,包括步骤:形成第一衬垫氧化硅层和第二氮化硅层,形成浅沟槽场氧;第一衬垫氧化硅层和第二氮化硅层的厚度定义出浅沟槽场氧的台阶高度。去除第二氮化硅层。形成第三保护层将ONO层的形成区域保护。将ONO层的形成区域外的第一衬垫氧化硅层的部分厚度湿法去除。去除第三保护层;进行湿法刻蚀将ONO层的形成区域外的第一衬垫氧化硅层完全去除同时在ONO层的形成区域保留部分厚度。在进行ONO层的隧穿氧化硅层形成工艺之前,还包括一次湿法浸泡工艺,保留的第一衬垫氧化硅层使湿法浸泡工艺前后浅沟槽场氧的台阶高度得到保持。本发明专利技术能避免湿法刻蚀工艺对场氧的台阶高度的影响,能提高工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】
SONOS器件的制造方法
本专利技术涉及一种半导体制集成电路制造方法,尤其是涉及一种SONOS器件的制造方法。
技术介绍
55nm低漏电嵌入式闪存(Embeddedflash,E-flash)SONOS的高压(HV)产品工艺中,采用了用的是G1-before的制程,G1-before的意思是和SONOS器件集成在一起的逻辑器件如CMOS器件的栅极的栅氧化层(GateOxide)分成两部分生长,第一部分的栅氧化层即G1放置在SONOS器件的ONO层之前形成,也即G1-before;第二部分的栅氧化层在ONO层形成之后再形成。栅氧化层生长之前会采用包含有氢氟酸的刻蚀液的湿法刻蚀将衬垫氧化硅层去除,在由于场氧如浅沟槽场氧(STI)的材料也是氧化硅,故在去除衬垫氧化硅层时STI表面的氧化硅会也被部分去除;这样在后续形成SONOS器件区域中的ONO层的最底层氧化层即隧穿氧化层(TunnelingOxide)时,在氧化之前需要先进行一步湿法浸泡(wetdip)工艺,wetdip过程还会继续有氧化硅被刻蚀,这会使SONOS器件形成区域的场氧的顶部表面的氧化硅会被进一步的消耗并从而会使场氧的顶部表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SONOS器件的制造方法,其特征在于,SONOS器件和逻辑器件集成在一起形成,包括如下步骤:步骤一、提供一半导体衬底,在所述半导体衬底的表面形成第一衬垫氧化硅层和第二氮化硅层,定义出浅沟槽的形成区域并形成浅沟槽以及在所述浅沟槽中填充氧化硅层形成浅沟槽场氧;所述第一衬垫氧化硅层和所述第二氮化硅层的厚度定义出所述浅沟槽场氧的台阶高度,所述台阶高度为所述浅沟槽场氧的顶部表面和所述半导体衬底表面的高度差;步骤二、去除所述第二氮化硅层;步骤三、形成第三保护层,采用SONOS器件的ONO层的掩模板进行定义将所述ONO层的形成区域外的所述第三保护层去除以及将所述ONO层的形成区域内的所述第三保护层保...

【技术特征摘要】
1.一种SONOS器件的制造方法,其特征在于,SONOS器件和逻辑器件集成在一起形成,包括如下步骤:步骤一、提供一半导体衬底,在所述半导体衬底的表面形成第一衬垫氧化硅层和第二氮化硅层,定义出浅沟槽的形成区域并形成浅沟槽以及在所述浅沟槽中填充氧化硅层形成浅沟槽场氧;所述第一衬垫氧化硅层和所述第二氮化硅层的厚度定义出所述浅沟槽场氧的台阶高度,所述台阶高度为所述浅沟槽场氧的顶部表面和所述半导体衬底表面的高度差;步骤二、去除所述第二氮化硅层;步骤三、形成第三保护层,采用SONOS器件的ONO层的掩模板进行定义将所述ONO层的形成区域外的所述第三保护层去除以及将所述ONO层的形成区域内的所述第三保护层保留;所述ONO层由隧穿氧化硅层、存储氮化硅层以及控制氧化硅层叠加而成;步骤四、在所述第三保护层的保护下采用第一次湿法刻蚀工艺将所述ONO层的形成区域外的所述第一衬垫氧化硅层的部分厚度去除;步骤五、去除所述第三保护层,进行第二次湿法刻蚀工艺将所述ONO层的形成区域外的所述第一衬垫氧化硅层完全去除同时在所述ONO层的形成区域保留部分厚度的所述第一衬垫氧化硅层;步骤六、在进行所述ONO层的隧穿氧化硅层形成工艺之前,还包括一次湿法浸泡工艺,所述湿法浸泡工艺将所述ONO层的形成区域保留的所述第一衬垫氧化硅层完全去除,所述湿法浸泡工艺同时对所述浅沟槽场氧进行相同厚度的损耗,所述第一衬垫氧化硅层使所述湿法浸泡工艺前后所述浅沟槽场氧的台阶高度得到保持。2.如权利要求1所述的SONOS器件的制造方法,其特征在于:所述半导体衬底为硅衬底。3.如权利要求1所述的SONOS器件的制造方法,其特征在于:步骤一中在形成所述浅沟槽场氧之前,还包括在所述半导体衬底的选定区域中形成阱区的步骤。4.如权利要求1所述的SONOS器件的制造方法,其特征在于:所述逻辑器件的栅氧化硅层采用两次栅氧化生长工艺形成,第一次栅氧化生长在步骤五中去除所述ONO层的形成区域外的所述第一衬垫...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱华宁章晶黄冠群
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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