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本发明公开了一种SONOS器件的制造方法，包括步骤：形成第一衬垫氧化硅层和第二氮化硅层，形成浅沟槽场氧；第一衬垫氧化硅层和第二氮化硅层的厚度定义出浅沟槽场氧的台阶高度。去除第二氮化硅层。形成第三保护层将ONO层的形成区域保护。将ONO层的形...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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