制造半导体器件的方法与3D存储器件技术

本申请公开了一种制造半导体器件的方法与3D存储器件。该方法包括：在半导体衬底上形成绝缘叠层结构，包括交替堆叠的第一层间绝缘层与第二层间绝缘层；贯穿所述绝缘叠层结构形成隔离结构；将所述隔离结构一侧的所述第一层间绝缘层替换为栅极导体，形成第一栅叠层结构；以及将所述隔离结构另一侧的所述第二层间绝缘层替换为栅极导体，形成第二栅叠层结构，其中，所述第一隔离结构将所述第一栅叠层结构与所述第二栅叠层结构分隔，在与所述半导体衬底表面垂直的方向上，所述第一栅叠层结构的栅极导体和所述第二栅叠层结构的栅极导体错开设置。通过将第一栅叠层结构的栅极导体和第二栅叠层结构的栅极导体错开设置，从而增大了半导体器件的存储密度，提高了半导体器件的空间利用率。

Method of Manufacturing Semiconductor Devices and 3D Memory Devices

This application discloses a method for manufacturing semiconductor devices and a 3D memory device. The method includes: forming an insulating laminated structure on a semiconductor substrate, including alternately stacked first and second insulating layers; forming an isolating structure through the insulating laminated structure; replacing the first interlayer insulating layer on one side of the isolating structure with a gate conductor to form a first gate laminated structure; and the second one on the other side of the isolating structure. The interlayer insulation layer is replaced by a gate conductor to form a second gate stacking structure, in which the first isolation structure separates the first gate stacking structure from the second gate stacking structure, and the first gate stacking structure and the second gate stacking structure are staggered in a vertical direction to the surface of the semiconductor substrate. By staggering the first gate conductor and the second gate conductor, the storage density of semiconductor devices is increased and the space utilization ratio of semiconductor devices is improved.

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法与3D存储器件
本专利技术涉及存储器技术，更具体地，涉及制造半导体器件的方法与3D存储器件。
技术介绍
存储器件的存储密度的提高与半导体制造工艺的进步密切相关。随着半导体制造工艺的特征尺寸越来越小，存储器件的存储密度越来越高。为了进一步提高存储密度，已经开发出三维结构的存储器件(即，3D存储器件)。3D存储器件包括沿着垂直方向堆叠的多个存储单元，在单位面积的晶片上可以成倍地提高集成度，并且可以降低成本。现有的3D存储器件主要用作非易失性的闪存。两种主要的非易失性闪存技术分别采用NAND和NOR结构。与NOR存储器件相比，NAND存储器件中的读取速度稍慢，但写入速度快，擦除操作简单，并且可以实现更小的存储单元，从而达到更高的存储密度。因此，采用NAND结构的3D存储器件获得了广泛的应用。在NAND结构的3D存储器件中，主要包括栅叠层结构、贯穿栅叠层结构的沟道柱以及导电通道，采用栅叠层结构提供选择晶体管和存储晶体管的栅极导体，采用沟道柱提供选择晶体管和存储晶体管的沟道层与栅介质叠层，以及采用导电通道实现存储单元串的互连。然而，随着栅叠层结构的层数越来越多，在栅叠层结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘叠层结构，包括交替堆叠的第一层间绝缘层与第二层间绝缘层；贯穿所述绝缘叠层结构形成隔离结构；将所述隔离结构一侧的所述第一层间绝缘层替换为栅极导体，形成第一栅叠层结构；以及将所述隔离结构另一侧的所述第二层间绝缘层替换为栅极导体，形成第二栅叠层结构，其中，所述第一隔离结构将所述第一栅叠层结构与所述第二栅叠层结构分隔，在与所述半导体衬底表面垂直的方向上，所述第一栅叠层结构的栅极导体和所述第二栅叠层结构的栅极导体错开设置。

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘叠层结构，包括交替堆叠的第一层间绝缘层与第二层间绝缘层；贯穿所述绝缘叠层结构形成隔离结构；将所述隔离结构一侧的所述第一层间绝缘层替换为栅极导体，形成第一栅叠层结构；以及将所述隔离结构另一侧的所述第二层间绝缘层替换为栅极导体，形成第二栅叠层结构，其中，所述第一隔离结构将所述第一栅叠层结构与所述第二栅叠层结构分隔，在与所述半导体衬底表面垂直的方向上，所述第一栅叠层结构的栅极导体和所述第二栅叠层结构的栅极导体错开设置。2.根据权利要求1所述的方法，其中，替换所述第一层间绝缘层形成所述栅极导体的步骤包括：采用刻蚀工艺，经由所述栅线缝隙将所述第一隔离结构一侧的所述第一层间绝缘层去除，形成空腔；以及经由所述栅线缝隙向所述空腔内填充栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡斌，肖莉红，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42