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本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法包含，首先形成一第一凹槽于一基底内，然后形成一第一浅沟隔离于第一凹槽内，形成一第一图案化掩模于基底上，再利用第一图案化掩模去除部分第一浅沟隔离以形成一第二凹槽以及去除部分基底形成一...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。