离子植入机及离子植入方法技术

本发明专利技术涉及半导体设备制造技术领域，公开了一种离子植入机及离子植入方法，其中，离子植入机包括：离子源，用于射出离子束；磁场装置，接收从离子源射出的离子束并改变该离子束的方向；工艺腔，用于接收从磁场装置射出的离子束。并且，离子植入机还包括设置在磁场装置和工艺腔之间的金属离子吸收部件。本发明专利技术提供的离子植入机，通过设置金属离子吸收部件，将离子束中的金属离子分离并吸收，使得离子束中只包含需要掺杂的离子，减少晶圆表面形成金属沾污的概率，从而降低晶圆的暗电流并提高离子植入的良品率。

【技术实现步骤摘要】
离子植入机及离子植入方法
本专利技术涉及半导体设备制造
，特别涉及一种离子植入机及离子植入方法。
技术介绍
目前，离子植入机广泛应用于半导体器件的生产制造，能够通过在晶圆中掺杂少量杂质，使得晶圆的结构和导电率发生改变，从而使半导体器件具有更好的性能，通常掺入的杂质为ⅢA族和ⅤA族的元素。一般来说，通过离子源产生特定价态的等离子体，并形成离子束，离子束经过选择和加速最终轰击到晶圆上，从而实现特定离子的植入。然而，在离子源产生等离子体以及对离子束进行离子选择的过程中，可能会引入其他离子，常见的杂质离子为离子束碰撞到离子植入机内部的金属腔壁，而轰击飞溅出的金属离子。在现有技术中，离子植入机内部通常设置有石墨覆盖层，对离子植入机进行保护，可以减少离子束对离子植入机的损伤。但是，石墨覆盖层会因不断受到离子束的扫描而损耗，尤其是对离子束进行选择的部位。当石墨覆盖层被击穿后，会露出离子植入机的金属部分，并由于离子束的撞击会飞溅产生如金属离子等的金属污染。这些金属污染会随着离子束一起被掺杂进晶圆中，并形成金属沾污而影响晶圆的导电率等性能，降低离子植入的良品率。并且，部分半导体器件例如CMOS图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子植入机，包括：离子源，用于射出离子束，磁场装置，接收从所述离子源射出的离子束并改变该离子束的方向；工艺腔，用于接收从所述磁场装置射出的离子束，其特征在于，所述离子植入机还包括设置在所述磁场装置和所述工艺腔之间的金属离子吸收部件。

【技术特征摘要】
1.一种离子植入机，包括：离子源，用于射出离子束，磁场装置，接收从所述离子源射出的离子束并改变该离子束的方向；工艺腔，用于接收从所述磁场装置射出的离子束，其特征在于，所述离子植入机还包括设置在所述磁场装置和所述工艺腔之间的金属离子吸收部件。2.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于，所述金属离子吸收部件为带有负向偏压的管状部件。3.根据权利要求2所述的离子植入机，其特征在于，在所述管状部件的内壁设置有石墨层，能够吸收离子束中的金属离子。4.根据权利要求2或3所述的离子植入机，其特征在于，在所述管状部件上设置有电极，所述电极通过导线连接偏压电源。5.根据权利要求2或3所述的离子植入机，其特征在于，所述管状部件的长度范围为7cm～8cm。6.根据权利要求2或3所述的离子植入机，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：马富林，李超，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32