【技术实现步骤摘要】
等离子体源、激发系统和操作激发测量系统的方法相关申请案的交叉引用本申请案主张MarkA.Meloni在2017年7月10日申请的标题为“微波等离子体源(MICROWAVEPLASMASOURCE)”的第62/530,589号美国临时申请案的权益，所述美国临时申请案与本申请案共同转让且以引用的方式并入本文中。
本申请案大体是针对监视半导体工艺，且更具体地说，是针对经由激发处理气体和观测光学信号来以光学方式监视工艺。
技术介绍
从半导体晶片选择性地移除材料或沉积材料以从晶片形成集成电路结构在半导体处理领域中是众所周知的。从半导体晶片移除材料是通过使用某一类型的蚀刻工艺(例如反应性离子蚀刻和等离子蚀刻)来实现。将材料沉积在晶片上可涉及例如化学和物理气相沉积以及分子束外延法等工艺。还已知其它移除和沉积工艺。此类工艺受到严格控制，且常常在密封的处理腔室中执行。因为必须将确切量的材料沉积到半导体晶片上或从半导体晶片移除，因此必须连续且准确地监视其进度以精确地确定特定工艺的停止时间或终点。以光学方式监视工艺是用于确定进行中的处理的阶段或终点的一个非常有用的工具。例如，可通过对从...
【技术保护点】
1.一种用于从一种或多种气体激发等离子体且对其进行光学监视的等离子体源，所述等离子体源包括：同轴射频RF谐振器，其包含第一末端、第二末端、内部电极和外部电极；射频接口，其电耦合到所述内部电极和所述外部电极且经配置以将RF信号提供到所述同轴RF谐振器；凸缘，其定位于所述谐振器的所述第一末端处且限定等离子体腔体；以及窗口，其定位于所述谐振器的所述第一末端与所述凸缘之间且形成所述等离子体腔体的一侧，由此所述同轴RF谐振器与所述等离子体隔离。
【技术特征摘要】
2017.07.10 US 62/530,589;2018.06.28 US 16/022,3891.一种用于从一种或多种气体激发等离子体且对其进行光学监视的等离子体源，所述等离子体源包括：同轴射频RF谐振器，其包含第一末端、第二末端、内部电极和外部电极；射频接口，其电耦合到所述内部电极和所述外部电极且经配置以将RF信号提供到所述同轴RF谐振器；凸缘，其定位于所述谐振器的所述第一末端处且限定等离子体腔体；以及窗口，其定位于所述谐振器的所述第一末端与所述凸缘之间且形成所述等离子体腔体的一侧，由此所述同轴RF谐振器与所述等离子体隔离。2.根据权利要求1所述的等离子体源，其进一步包括隔离屏，所述隔离屏定位于所述等离子体腔体的与所述窗口相对的末端处且形成所述等离子体腔体的第二侧。3.根据权利要求1所述的等离子体源，其进一步包括定位于所述窗口与所述凸缘之间的O型环。4.根据权利要求1所述的等离子体源，其中所述凸缘以可移除方式耦合到所述同轴RF谐振器。5.根据权利要求1所述的等离子体源，其进一步包括沿着所述同轴RF谐振器的长度在所述第一末端与所述第二末端之间延伸的查看端口。6.根据权利要求5所述的等离子体源，其进一步包括位于所述同轴RF谐振器的所述第二末端处且与所述查看端口重合的光纤接入口。7.根据权利要求1所述的等离子体源，其中限定所述等离子体腔体的所述凸缘的内表面涂布有抵抗因所述等离子体而导致的污染和损坏的产物。8.根据权利要求1所述的等离子体源，其进一步包括用于点燃所述等离子体腔体内的等离子体的点火器。9.根据权利要求8所述的等离子体源，其中所述点火器为在所述等离子体腔体外部位于所述窗口附近的火花点火器。10.根据权利要求1所述的等离子体源，其进一步包括经配置以更改所述等离子体源的Q的Q调谐器。11.根据权利要求10所述的等离子体源，其中所述Q调谐器包含在所述同轴RF谐振器附近的电线圈和在所述内部电极与所述外部电极之间的铁氧体元件，其中所述电线圈围绕所述同轴RF谐振器的具有所述铁氧体元件的一部分而定位。12.根据权利要求1所述的等离子体源，其中所述同轴RF谐振器的激发是通过所述RF信号经由所述RF接口而提供，且电磁场经产生且递送到所述等离子体腔体以用于激发所述等离子体。13.根据权利要求1所述的等离子体源，其中所述窗口为自洁式的。14.一种用于激发等离子体的激发系统，其包括：等离子体源，其包含：同轴射频RF谐振器，其包含第一末端、第二末端、内部电极和外部电极，射频接口，其电耦合到所述内部电极和...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。