用于监测半导体工艺的极高分辨率光谱仪制造技术

本申请涉及一种用于监测半导体工艺的极高分辨率光谱仪。提供可用于监测半导体工艺的极高分辨率的光学仪器。在此应用空间中，极高分辨率可被认为是足以准许分辨个别分子转振发射线的分辨率。在一个实例中，提供一种光学仪器，其包含：(1)光学接口，其接收光纤；(2)窄带通滤波器，其滤出经由所述光纤接收的光信号的一部分；(3)光学组件，其被选择性地组合以处理未滤波光信号的至少一部分，其中所述光学组件包含接收所述未滤波光信号的传感器；以及(4)一或多个处理器，其处理来自所述传感器的电信号。所述光学仪器可为适合于工艺控制仪器的光谱仪。

【技术实现步骤摘要】

本公开大体上涉及光谱(optical spectroscopy)系统和使用方法，且更具体地，涉及用于监测来自半导体工艺的光学发射的紧凑型极高分辨率光谱仪。

技术介绍

1、半导体工艺的光学监测是用于控制例如蚀刻、沉积、化学机械抛光和注入的工艺的行之有效的方法。光学发射光谱(oes)和干涉测量终点(iep)是两个基本类型的数据收集操作模式。在oes应用中，收集和分析从工艺(通常是从等离子体)发射的光，以识别和跟踪原子和分子物种的变化，所述变化指示被监测的工艺的状态或进展。

技术实现思路

1、在一个方面中，公开一种处理光信号的方法。在一个实例中，方法包含：(1)接收光信号；(2)使用窄带通滤波器对光信号进行滤波；和(3)基于所需分辨率使用光学组件的选择性组合来处理经滤波光信号。

2、在另一方面中，本公开提供一种光学仪器。在一个实例中，光学仪器包含：(1)光学接口，其接收光纤；(2)窄带通滤波器，其滤出经由光纤接收的光信号的一部分；(3)光学组件，其被选择性地组合以处理未滤波光信号的至少一部分，其中光学组本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种处理光信号的方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学组件包含光栅、镜和狭缝大小的组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学组件包含传感器。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法由具有小形状因数的光谱仪执行。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述光谱仪为改进的切尔尼-特纳(Czerny-Turner)光谱仪。

6.根据权利要求1所述的方法，其中基于处理来自一或多个气体物种的发射而选择所述所需分辨率。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述一或多个气体物种包含SiN、SiF2、C...

【技术特征摘要】

1.一种处理光信号的方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学组件包含光栅、镜和狭缝大小的组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学组件包含传感器。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法由具有小形状因数的光谱仪执行。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述光谱仪为改进的切尔尼-特纳(czerny-turner)光谱仪。

6.根据权利要求1所述的方法，其中基于处理来自一或多个气体物种的发射而选择所述所需分辨率。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述一或多个气体物种包含sin、sif2、ch、co和cn。

8.根据权利要求6所述的方法，其中选择所述一或多个物种sin、sif2、ch、co和cn中的单个物种以供处理。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述分辨率为0.025nm。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在制造期间选择光学组件的所述组合。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在制造之后能够调适所述窄带通滤波器。

12.一种光学仪器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·W·科伊尼，
申请(专利权)人：真实仪器公司，
类型：发明
国别省市：