一种高导热封装基板制造技术

一种高导热封装基板，其特征在于第一层线路，加成电镀在铜基板上表面，在第一层线路上加成电镀有第一导通铜柱和第一散热铜柱；第一绝缘层，压合在铜基板的上表面，覆盖在第一层线路上；第二层线路，加成电镀在第一绝缘层的上表面，在第二层线路上加成电镀有第二导通铜柱和第二散热铜柱；第二绝缘层，压合在第一绝缘层的上表面，覆盖在第二层线路上；第三层线路，加成电镀在第二绝缘层的上表面；本实用新型专利技术通过设置散热铜柱，使得导热路径简单，还提高了散热效果，具有制作工艺简单、成本较低的特点，制得的高导热封装基板尺寸稳定、导热路径简单、散热性能好。

【技术实现步骤摘要】
一种高导热封装基板
本技术涉及印刷电路板制造
，尤其涉及一种高导热封装基板。
技术介绍
半导体封装
中常用到封装基板，封装基板是Substrate(简称SUB)，即印刷线路板中的术语。基板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效，以实现多引脚化，缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。目前，封装基板正朝着高密度化的方向发展。封装技术对于发挥功率半导体器件的功能至关重要。良好电隔离和热管理，最小的寄生电容，极少的分布电感，都要通过精心设计封装结构来实现。功率半导体器件工作时产生的功耗转换成热能，使器件温度升高。半导体器件功耗超过一个临界值，就会造成热不稳定和热击穿。同时，器件的许多参数也会因温度升高而受到不良影响，因此限制功率半导体器件的管芯温度不超过一定值就显得非常重要。而这一措施是通过封装实现的。目前高导热高绝缘的封装基板一般分为三种：一、通孔导通FPC板+陶瓷板，这种结构的导热途径是：陶瓷板→锡箔→IMC层→锡+软板孔铜→导电胶→钢片，其优点是线路板制程较简单，缺点在于：必须搭配陶瓷基板，导热路径复杂，导热面积小，散热一般，导通孔内的锡无法全部填满。二、盲孔导通FPC板+陶瓷板，这种结构的导热途径是：陶瓷板→锡箔→IMC层→锡+软板孔铜→导电胶→钢片，其优点是：线路板制程较简单，无焊锡空洞的风险，缺点在于：必须搭配陶瓷基板，导热路径复杂，导热面积小，散热不佳，有激光钻孔工艺。三、高导热软硬结合封装基板，这种结构的导热途径是：陶瓷板焊盘→铜柱→纯铜补强板，其优点是：散热性好，散热介质为纯铜，无需使用陶瓷基板，总板厚度可调，缺点在于：成本增加。经查，现有专利号为CN201710119406.5的中国专利《高导热封装基板》，由双面敷有导电层的陶瓷和微热管构成，其特征是：导电层有图案，一面图案用于封装功率电力电子器件，功率微波器件，逻辑控制电路，检测电路，引线等；另一面图案与微热管相连。这种封装基板采用微热管和高导热陶瓷电路板通过真空焊，真空摩擦焊，活性金属钎焊，纳米银焊接等手段达到冶金结合，减少热阻，实现高效散热，但是制备工艺也比较复杂，成本也较高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述的技术现状而提供一种结构简单、散热性能好且成本低的高导热封装基板。本技术解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种高导热封装基板，其特征在于：所述高导热封装基板包括：第一层线路，加成电镀在铜基板上表面，在第一层线路上加成电镀有第一导通铜柱和第一散热铜柱；第一绝缘层，压合在铜基板的上表面，覆盖在第一层线路上；第二层线路，加成电镀在第一绝缘层的上表面，在第二层线路上加成电镀有第二导通铜柱和第二散热铜柱；第二绝缘层，压合在第一绝缘层的上表面，覆盖在第二层线路上；第三层线路，加成电镀在第二绝缘层的上表面；其中第一绝缘层、第二绝缘层压合后需研磨使第一导通铜柱、第一散热铜柱分别露出第一绝缘层与第二层线路相连接，第二导通铜柱和第二散热铜柱分别露出第二绝缘层与第三层线路相连接，铜基板在第三层线路加成后被蚀刻。优选，所述铜基板的上表面的金属保护层为铜镍层。优选，所述第一散热铜柱和第二散热铜柱为同轴设置，第一散热铜柱和第二散热铜柱的直径为50μm～3.0mm。进一步，所述第一导通铜柱和第二导通铜柱为同轴设置。最后，所述导通铜柱的直径最小为0.05mm。与现有技术相比，本技术的优点在于：采用铜基板，产品尺寸稳定；加成电镀的导通铜柱代替了原有硬板的机械钻孔、激光钻孔的导通方式，不仅能制作出更精细的线路，还省出了很多的布线空间，大大提升布线的密度，针对相同像素的产品，即使产品尺寸不增加也能满足布线要求，布线将不再受到制作工艺的局限；另外，加成电镀散热铜柱，不但导热路径简单，还提高了散热效果；绝缘层厚，实现高绝缘。本技术工艺结构简单，且成本较低，制得的高导热封装基板尺寸稳定、导热路径简单、散热性能好。附图说明图1为本技术的实施例提供的高导热封装基板的结构示意图；图2为本技术的实施例提供的铜基板的结构示意图；图3为在铜基板上加成第一层线路的结构示意图；图4为在第一层线路加成第一导通铜柱和第一散热铜柱的结构示意图；图5为第一绝缘层压合后的结构示意图；图6为第一绝缘层研磨后的结构示意图；图7为在第一绝缘层压合上加成第二层线路的结构示意图；图8为第二层线路加成第二导通铜柱和第二散热铜柱的结构示意图；图9为第二绝缘层压合并研磨后的结构示意图；图10为在第二绝缘层压合上加成第三层线路的结构示意图。具体实施方式以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。如图1～10所示，一种高导热封装基板，高导热封装基板包括：一铜基板1，铜基板1的上表面电镀有金属保护层11；第一层线路2，加成电镀在铜基板1上表面，在第一层线路2上加成电镀有第一导通铜柱5和第一散热铜柱4；第一绝缘层3，压合在铜基板1的金属保护层11的上表面，覆盖在第一层线路2上；第二层线路7，加成电镀在第一绝缘层3的上表面，对应地，在第二层线路7上加成电镀有第二导通铜柱9和第二散热铜柱8，分别与第一导通铜柱5和第一散热铜柱4连接；第二绝缘层6，压合在第一绝缘层3的上表面，覆盖在第二层线路7上；第三层线路10，加成电镀在第二绝缘层6的上表面；其中第一绝缘层3、第二绝缘层6压合后需研磨使第一导通铜柱5、第一散热铜柱4分别露出第一绝缘层3与第二层线路7上的第二导通铜柱9和第二散热铜柱8相连接，第二导通铜柱9和第二散热铜柱8分别露出第二绝缘层6与第三层线路10相连接，铜基板1在第三层线路10加成后被蚀刻；优选，铜基板1的上表面的金属保护层11为铜镍层，第一导通铜柱5和第二导通铜柱9的直径最小为0.05mm；第一散热铜柱4和第二散热铜柱8为同轴设置，使第三层线路10通过第二散热铜柱8连接第二层线路7，然后再通过第一散热铜柱4连接第一层线路2，使得导热路径简单，第一散热铜柱和第二散热铜柱的直径较粗，通常是50μm～3.0mm，导热面积大，便于散热。本实施例的高导热封装基板的制备方法，具体步骤为：1)在铜基板1的上表面电镀金属保护层11(如图2)，金属保护层11为铜镍层；2)在铜基板1的上表面加成电镀第一层线路2(如图3)，第一层线路2的制作工艺流程为：压膜→曝光→显影→电镀。3)在第一层线路2上制作与第二层线路7相导通的第一导通铜柱5和第一散热铜柱4，对第一导通铜柱5和第一散热铜柱4进行电镀(如图4)；第一导通铜柱5和第一散热铜柱4的制作工艺流程为：压膜→曝光→显影→电镀上第一导通铜柱5和第一散热铜柱4；4)接着在第一层线路2上压合第一绝缘层3(如图5)，并对第一绝缘层3的上表面进行研磨使露出第一导通铜柱5和第一散热铜柱4(如图6)；5)在第一绝缘层3上沉积一层导电种子铜，采用加成法工艺制作第二层线路7(如图7)，加成法工艺制作第二层线路7的工艺流程为：种子铜→压膜→曝光→显影→电镀第二层线路7；6)第二层线路7上制作与第三层线路10相导通的第二导通铜柱9和第二散热铜柱8(如图8)，通常，第一散热铜柱4和第二散热铜柱8为同轴设置，对第二导通铜柱9和第二散热铜柱8进行电镀；第二导通铜柱9和第二散热铜柱8的制作工艺流程为：压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高导热封装基板，其特征在于：所述高导热封装基板包括：第一层线路，加成电镀在铜基板上表面，在第一层线路上加成电镀有第一导通铜柱和第一散热铜柱；第一绝缘层，压合在铜基板的上表面，覆盖在第一层线路上；第二层线路，加成电镀在第一绝缘层的上表面，在第二层线路上加成电镀有第二导通铜柱和第二散热铜柱；第二绝缘层，压合在第一绝缘层的上表面，覆盖在第二层线路上；第三层线路，加成电镀在第二绝缘层的上表面；其中第一绝缘层、第二绝缘层压合后需研磨使第一导通铜柱、第一散热铜柱分别露出第一绝缘层与第二层线路相连接，第二导通铜柱和第二散热铜柱分别露出第二绝缘层与第三层线路相连接，铜基板在第三层线路加成后被蚀刻。

【技术特征摘要】
1.一种高导热封装基板，其特征在于：所述高导热封装基板包括：第一层线路，加成电镀在铜基板上表面，在第一层线路上加成电镀有第一导通铜柱和第一散热铜柱；第一绝缘层，压合在铜基板的上表面，覆盖在第一层线路上；第二层线路，加成电镀在第一绝缘层的上表面，在第二层线路上加成电镀有第二导通铜柱和第二散热铜柱；第二绝缘层，压合在第一绝缘层的上表面，覆盖在第二层线路上；第三层线路，加成电镀在第二绝缘层的上表面；其中第一绝缘层、第二绝缘层压合后需研磨使第一导通铜柱、第一散热铜柱分别露出第一绝缘层与第二层线路相连接，第二导通铜...

【专利技术属性】
技术研发人员：张成立，徐光龙，王强，
申请(专利权)人：宁波华远电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33