半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置具备半导体基板(1)、绝缘膜(2)以及电极(3)。半导体基板(1)具有第一表面(1a)。绝缘膜(2)设置于半导体基板(1)的第一表面(1a)上，且在与第一表面(1a)相反的一侧具有第二表面(2a)。电极(3)连接于绝缘膜(2)的第二表面(2a)，且具有侧面(3a)、与所述绝缘膜(2)接触的第一面(3e)以及位于与第一面(3e)相反的一侧的第二面(3f)。电极(3)的第二面(3f)的外周形成于比第一面(3e)的外周靠内侧的位置。

Semiconductor devices and manufacturing methods of semiconductor devices

The semiconductor device has a semiconductor substrate (1), an insulating film (2) and an electrode (3). The semiconductor substrate (1) has a first surface (1a). The insulating film (2) is arranged on the first surface (1a) of the semiconductor substrate (1) and has a second surface (2a) on the opposite side of the first surface (1a). The electrode (3) is connected to the second surface (2a) of the insulating film (2) and has a side (3a), a first surface (3e) in contact with the insulating film (2) and a second surface (3f) on the opposite side of the first (3e). The circumference of the second side (3f) of the electrode (3) is formed in the inner side of the circumference of the first side (3e).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
为了构成半导体装置(半导体器件)，需要层叠多种材料。例如，在半导体基板上形成氧化膜等绝缘膜，在该绝缘膜上层叠Cu(铜)膜等电极。当绝缘膜和电极的温度上升时，由于绝缘膜与电极的线膨胀系数的差而在绝缘膜与电极的界面产生应力。由于该应力而绝缘膜被施加负荷。由此有可能绝缘膜被破坏。另外，如果电极的膜厚变厚，则在绝缘膜与电极的界面产生的应力增大。因此，在电极的膜厚变厚的情况下，由于该应力而绝缘膜被破坏的可能性变高。例如，在日本特开2015-185783号公报(专利文献1)中记载了具备厚膜的金属电极的半导体装置。在该半导体装置中，金属电极具有阶梯状的构造。专利文献1：日本特开2015-185783号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题一般来说，在与绝缘膜连接的电极的区域的外周边缘(以下称为终端部)，应力负荷最集中于绝缘膜，因此该终端部容易成为绝缘膜的破坏的起点。在上述公报所记载的半导体装置中，金属电极的终端部的膜厚比金属电极的中心部的膜厚薄。因此，能够谋求降低容易成为绝缘膜的破坏的起点的终端部处本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，具有第一表面；绝缘膜，设置于所述半导体基板的所述第一表面上，且在与所述第一表面相反的一侧具有第二表面；以及电极，连接于所述绝缘膜的所述第二表面，且具有侧面、与所述绝缘膜接触的第一面以及与所述第一面相反的一侧的第二面，其中，所述电极的所述第二面的外周与所述第一面的外周相比形成于内侧。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.10 JP 2016-1161141.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，具有第一表面；绝缘膜，设置于所述半导体基板的所述第一表面上，且在与所述第一表面相反的一侧具有第二表面；以及电极，连接于所述绝缘膜的所述第二表面，且具有侧面、与所述绝缘膜接触的第一面以及与所述第一面相反的一侧的第二面，其中，所述电极的所述第二面的外周与所述第一面的外周相比形成于内侧。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电极的所述侧面包括弯曲部，该弯曲部弯曲成：朝向所述侧面与所述第二表面连接的边缘而所述电极的膜厚变薄、且向所述第二表面侧凹陷。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述电极包括被所述侧面包围的中心部，从自所述第二表面起的所述侧面的膜厚为所述中心部的膜厚的1/3的地点至所述边缘为止的沿着所述第二表面的方向上的距离是所述地点处的所述侧面的膜厚的10倍以上的尺寸。4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，所述侧面构成为从所述第一面至所述第二面连续地弯曲。5.根据权利要求2～4中的任一项所述的半导体装置，其中，所述电极是包括第一台阶部和第二台阶部的至少2台阶以上的台阶构造，该第一台阶部设置于所述绝缘膜的所述第二表面且具有所述弯曲部，该第二台阶部以在与所述绝缘膜之间夹入所述第一台阶部的方式层叠于所述第一台阶部。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一台阶部的膜厚为所述第二台阶部的膜厚的1/2以下。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤祐司，吉田基，藤田淳，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP