布线结构和溅射靶制造技术

提供一种布线结构，其特征在于，是在Al－Ta合金薄膜的至少表面和侧面的任意一方的面上形成有Al－Ta氧化膜的布线结构，所述Al－Ta合金薄膜的Ta添加量为0.3～3.0原子％，且Cu含量为0.03原子％以下，所述Al－Ta氧化膜的膜厚为3～10nm，并且，所述Al－Ta氧化膜中的Ta的原子％浓度比Al－Ta合金薄膜中的Ta的原子％浓度低。

Wiring structure and sputtering target

A wiring structure is characterized in that a wiring structure with an Al-Ta oxide film is formed on at least one side of the surface and the side of the Al-Ta alloy film. The Ta content of the Al-Ta alloy film is 0.3-3.0 atoms, and the Cu content is below 0.03 atoms%. The thickness of the Al-Ta oxide film is 3-1 atoms. 0 nm, and the atomic% concentration of Ta in the Al-Ta oxide film is lower than that in the Al-Ta alloy film.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】布线结构和溅射靶
本专利技术涉及布线结构和用于成膜该布线结构中的Al合金薄膜的溅射靶，特别是涉及氯化物离子耐性优异的布线结构。另外，本专利技术还涉及具有所述布线结构的显示装置、输入装置及触控板。
技术介绍
在液晶显示器、有机EL显示器、触控板等的显示装置和输入装置等的电极材料所用的布线膜中，所使用的布线结构利用了Al薄膜和以Al为母材的Al合金薄膜，以利用其电阻率低、容易微细加工这样的特长。例如在专利文献1中，公开有一种抗突起性优异的半导体装置用电极或布线材料，其特征在于，由含有从Ta、Ti、Nd、Gd、Fe、Co、Ni所构成的群中选择的一种以上，并且含有1～6.5原子％Ar的Al基合金构成。另外在专利文献2中，公开有一种布线膜，其特征在于，含有如下元素：第一元素，其是从0.28～23原子％的范围的Y、Sc、La、Ce、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Er、Th、Sr、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mn、Re、Co、Ir、Pt、Cu、Si和B中选择的至少一种；第二元素，其是从相对于该第一元素的量，而处于1.8原子ppm～3000原子ppm的范围的C、10原子ppm～1500原子pp本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种布线结构，其特征在于，是在Al－Ta合金薄膜的至少表面和侧面的任意一者的面上形成有Al－Ta氧化膜的布线结构，所述Al－Ta合金薄膜的Ta添加量为0.3～3.0原子％，且Cu含量为0.03原子％以下，所述Al－Ta氧化膜的膜厚为3～10nm，并且，所述Al－Ta氧化膜中的Ta的原子％浓度比Al－Ta合金薄膜中的Ta的原子％浓度低。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.25 JP 2016-0115211.一种布线结构，其特征在于，是在Al－Ta合金薄膜的至少表面和侧面的任意一者的面上形成有Al－Ta氧化膜的布线结构，所述Al－Ta合金薄膜的Ta添加量为0.3～3.0原子％，且Cu含量为0.03原子％以下，所述Al－Ta氧化膜的膜厚为3～10nm，并且，所述Al－Ta氧化膜中的Ta的原子％浓度比Al－Ta合金薄膜中的Ta的原子％浓度低。2.根据权利要求1所述的布线结构，其特征在于，所述Al－Ta合金薄膜含有0.05～3.0原子％的稀土类元素。3.根据权利要求1所述的布线结构，其特征在于，在所述Al－Ta氧化膜的表面，具有羧基和氨基中的至少一个的官能...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥野博行，中井淳一，吉田慎太郎，
申请(专利权)人：株式会社钢臂功科研，
类型：发明
国别省市：日本,JP