高频装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开提供一种高频装置的制造方法，包括：提供基板；形成导电材料于基板上；静置第一时间间隔；依序重复形成导电材料的步骤以及静置的步骤至少一次以形成导电层，其中导电层的厚度的范围为0.9μm至10μm；以及图案化导电层。本公开亦提供一种高频装置。

【技术实现步骤摘要】
高频装置及其制造方法
本公开是有关于一种高频装置及其制造方法，特别是有关于高频装置的导电层及其制造方法。
技术介绍
在传统显示器的制作上，以例如物理气相沉积(physicalvapordeposition，PVD)于基板上进行导电层的沉积时，仅需沉积数千埃即符合产品的需求，但对于高频装置(例如，天线)而言，于基板上设置厚度较厚的导电层是必要的。然而，对于一般厚度的基板来说，于其上镀覆厚度较厚的导电层(例如，大于1微米(μm)以上)需要长时间的连续沉积，而过程中的原子撞击释放大量热能累积于导电层及基板，使得导电层或基板因结构的应力增加而产生翘曲(warpage)的现象，导致镀覆导电材料(例如，金属)的基板无法顺利进入设备机台中进行后续的制程作业，例如，光刻、清洗制程等，造成厚导电层组件的制作困难。因此，开发一种可有效维持平坦态样的导电覆层结构，可减少前述在基板上制作厚导电层时所产生的翘曲问题。
技术实现思路
在一些实施例中，本公开提供一种高频装置的制造方法，包括：提供一基板；形成一导电材料于该基板上；静置一第一时间间隔；依序重复该形成该导电材料的步骤以及该静置的步骤至少一次以形成一导电层，其中该导电层的厚度的范围为0.9μm至10μm；以及图案化该导电层。在另一些实施例中，本公开提供一种高频装置的制造方法，包括：提供一基板；形成一导电层于该基板上，该基板的温度的范围为10℃至130℃；以及图案化该导电层。在又一些实施例中，一种高频装置结构，包括：一基板；以及一图案化导电层，位于该基板上，且该图案化导电层具有一厚度；其中，该图案化导电层在邻近该基板处有一第一位置，该图案化导电层在远离该基板处有一第二位置，该第一位置位于距离该基板1/5的该厚度处，该第二位置位于距离该基板4/5的该厚度处，且该第一位置的晶粒尺寸大于该第二位置的晶粒尺寸。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中：图1是根据本公开一些实施例中，高频装置的制造方法的步骤流程图；图2A至图2E是根据本公开一些实施例中，高频装置在制程中不同阶段的剖面图；图3是根据本公开一些实施例中，高频装置的制造方法的步骤流程图；图4A至图4C是根据本公开一些实施例中，高频装置在制程中不同阶段的剖面图；图5A至图5D是根据本公开一些实施例中，使用扫描电子显微镜(scanningelectronmicroscope，SEM)观测高频装置结构的图案化导电层所得到的影像示意图；图6A至图6E是根据本公开一些实施例中，导电层的X-射线绕射分析图。图中元件标号说明：10高频装置的制造方法；12～26高频装置的制造方法的步骤；30高频装置的制造方法；32～38高频装置的制造方法的步骤；100基板；102缓冲层；102’图案化缓冲层；104导电层；104’图案化导电层；104a第一导电材料；104b第二导电材料；104n第N导电材料；200高频装置结构；G1晶粒；G2晶粒；P1第一位置；P2第二位置；T厚度。T’厚度。具体实施方式以下针对本公开的高频装置的结构及其制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本公开一些实施例的不同样态。以下所述特定的组件及排列方式仅为简单清楚描述本公开一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本公开的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本公开一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。应理解的是，附图的组件或装置可以所属
本领域普通技术人员所熟知的各种形式存在。此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如“较低”或“底部”及“较高”或“顶部”，以描述图式的一个组件对于另一组件的相对关系。可理解的是，如果将图式的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的组件将会成为在“较高”侧的组件。本公开实施例可配合图式一并理解，本公开的图式亦被视为公开说明的一部分。应理解的是，本公开的图式并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小组件的尺寸以便清楚表现出本专利技术的特征，而在说明书及图式中，同样或类似的组件将以类似的符号表示。可理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种组件或部分，这些组件、组成或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、组成或部分。因此，以下讨论的一第一组件、组成或部分可在不偏离本公开的教示的情况下被称为一第二组件、组成或部分。在此，“约”、“大约”、“实质上”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，较佳是10％之内，更佳是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“实质上”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“实质上”的含义。除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本公开所属
的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开实施例有特别定义。此外，在本公开一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。本公开提供的高频装置的制造方法可形成厚度较大(例如，大于1μm)的导电层，借由控制导电层形成时的制程温度，可减少因为导电层或基板的温度过高而产生翘曲，进而可降低后续制程进行的难度。根据本公开的一些实施例，高频装置的制造方法是间歇性地形成厚度较大的导电层于基板上，可在相对低的温度下形成导电层，减少导电层或基板应力增加而产生翘曲的问题。本公开的高频装置可例如为液晶天线，但不限于此，而高频装置的频率范围例如可大于或等于1吉赫(GHz)且小于或等于50吉赫(GHz)。本公开的高频装置中的导电层可例如具有波导管或传输微波信号的功能，但不限于此。图1显示根据一些实施例，高频装置的制造方法10的步骤流程图。应理解的是，可于高频装置的制造方法10进行前、进行中及/或进行后提供额外的操作。在不同的实施例中，所述的一些阶段可以被取代或删除。可添加额外特征于高频装置，在不同的实施例中，以下所述的一些特征可以被取代或删除。图2A至图2E显示根据一些实施例，使用图1所示的制造方法10所形成的高频装置在不同阶段的剖面图。首先，请参照图1及图2A，高频装置的制造方法10起始于步骤12，提供基板100。基板100的材料可包含玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)、其它本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频装置的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；形成一导电材料于该基板上；静置一第一时间间隔；依序重复该形成该导电材料的步骤以及该静置的步骤至少一次以形成一导电层，其中该导电层的厚度的范围为0.9μm至10μm；以及图案化该导电层。

【技术特征摘要】
2017.01.16 US 62/446,5811.一种高频装置的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；形成一导电材料于该基板上；静置一第一时间间隔；依序重复该形成该导电材料的步骤以及该静置的步骤至少一次以形成一导电层，其中该导电层的厚度的范围为0.9μm至10μm；以及图案化该导电层。2.如权利要求1所述的高频装置的制造方法，其特征在于，该第一时间间隔的范围为0.5分钟至30分钟。3.如权利要求1所述的高频装置的制造方法，其特征在于，该图案化的步骤中该基板的温度大于该形成该导电层的步骤中该基板的温度。4.如权利要求1所述的高频装置的制造方法，其特征在于，在该形成该导电材料的步骤前，更包括形成一缓冲层于该基板上。5.如权利要求1所述的高频装置的制造方法，其特征在于，该导电层包括铜。6.一种高频装置的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；形成一导电层于该基板上，该基板的温度的范围为10℃至130℃；以及图案化该导电层。7.如权利要求6所述的高频装置的制造方法，其特征在于，该导电层的厚度的...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁銘彦，高克毅，何家齐，筱崎勉，王程麒，李宜音，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71