The present invention discloses a method for making a semiconductor element with a cobalt silicide layer, which comprises providing a silicon structure, forming an interlayer dielectric layer, forming a contact hole in the interlayer dielectric layer to expose a silicon structure, and depositing a cobalt layer on the exposed silicon structure in a temperature environment of 300 to 400 DEG centigrade, in which the cobalt layer is deposited on the exposed silicon structure in the temperature environment. A cobalt layer is formed on the surface of the cobalt layer, and a rapid heating treatment is carried out. The cobalt layer on the silicon structure is converted into a cobalt silicide layer and the unconverted cobalt layer is removed.
【技术实现步骤摘要】
制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法
本专利技术大体上涉及一种半导体元件的制作方法,特别是涉及一种制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法。
技术介绍
随着半导体元件的集成度越来越高,电路尺寸逐渐变小,布局中提供给连接个别元件用的接触结构的接触区域也变得越来越小,特别是在高密度的存储单元中,如动态随机处理存储元件(DRAM),其接触结构所需到达的深度增加,所流通的电流也变小。在此情况下,接触电阻这项参数在元件的电性上变得更为重要。为了加速元件的运作速度,同时考虑到布线微细化以及热阻等因素,现今业界一般会在金属线与源/漏极与栅极的连接处进行硅化制作工艺来形成硅化钴(cobaltsilicide)等金属硅化物来降低减少接触电阻。例如在DRAM结构中,含有金属成分的位线会经由多晶硅接触插塞来与存取晶体管的源/漏极连接,此时硅化钴会作为两者间的界面来达到良好的欧姆接触。现有的做法中会使用氮化钛盖层形成在尚未反应的钴层上来防止钴氧化,然而该氮化钛盖层在高温的硅化反应后会变得不易移除,容易形成雪花状残留物的缺陷。为此,目前业界仍需改进现有的硅化制作工艺来克服该问题。
技术实现思路
为了解决上述现有问题,本专利技术提出了一种新颖的钴硅化物层形成方法,其在形成未反应的钴层的同时(in-situ)就同时在表面形成一钴保护层,如此后续就不需要再额外形成氮化钛盖层来避免钴氧化。本专利技术的其中一目的在于提供一种新颖的钴硅化物层形成方法,其步骤包含提供一硅结构,其上形成有层间介电层、在该层间介电层中形成接触孔以裸露出硅结构、在300℃~400℃的温度环境中在裸露的硅结构上沉积一钴层,其中 ...
【技术保护点】
1.一种制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法,其步骤包含:提供一硅结构,该硅结构上形成有层间介电层;在该层间介电层中形成接触孔以裸露出该硅结构;在300℃~400℃的温度环境中在裸露的该硅结构上沉积一钴层,其中该钴层的表面同时形成一钴保护层;对进行一快速升温处理,将该硅结构上的该钴层转化成钴硅化物层;以及移除未转化的该钴层。
【技术特征摘要】
1.一种制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法,其步骤包含:提供一硅结构,该硅结构上形成有层间介电层;在该层间介电层中形成接触孔以裸露出该硅结构;在300℃~400℃的温度环境中在裸露的该硅结构上沉积一钴层,其中该钴层的表面同时形成一钴保护层;对进行一快速升温处理,将该硅结构上的该钴层转化成钴硅化物层;以及移除未转化的该钴层。2.如权利要求1所述的制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法,其中该钴保护层为钴硅化物。3.如权利要求1所述的制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法,其中该钴层共形地沉积在该接触孔以及裸露的该硅结构上。4.如权利要求1所述的制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法,其中移除未转化的该钴层的步骤包含以浓硫酸进行一清洗步骤将未转化的该钴层移...
【专利技术属性】
技术研发人员:张凯钧,郑存闵,蔡志杰,李瑞珉,陈意维,张家隆,刘玮鑫,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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