半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置的制造方法包含在基底上方提供具有图案化的吸收层的光掩模，使用具有横向电(TE)波和横向磁(TM)波混合的光束照射光掩模，照射包含在图案化的吸收层的侧壁上产生表面等离子体电磁极化子(SPP)，表面等离子体电磁极化子用于抑制横向磁波，同时反射横向电波，将目标基底暴露于横向电波。

Manufacturing Method of Semiconductor Device

The fabrication method of a semiconductor device includes providing a photomask with patterned absorption layer above the substrate, irradiating the photomask with a beam mixing transverse electric (TE) wave and transverse magnetic (TM) wave, irradiating the sidewall of the patterned absorption layer to produce a surface plasmon electromagnetic polaron (SPP), which is used to suppress transverse magnetic waves while reflecting transverse magnetic waves. The target base is exposed to transverse waves by directional waves.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本公开实施例涉及半导体制造技术，特别涉及使用光刻技术制造半导体装置的方法。
技术介绍
电子工业已经历对于更小且更快的电子装置的不断增加的需求，其同时能够支援更大量的越来越复杂且精密的功能。因此，在半导体工业上有持续制造低成本、高效能和低功耗的集成电路(integratedcircuits，ICs)的趋势。到目前为止，通过缩减半导体集成电路尺寸(例如最小部件(feature)尺寸)，并且藉此改善生产效率及降低相关成本，这些目标大部分已经实现了。然而，这样的尺寸缩减也导致半导体制造过程的复杂性增加。因此，在半导体集成电路和装置上实现持续的进步需要在半导体制造过程和技术方面有类似的进展。仅作为一个范例，半导体光刻(lithography)工艺可以使用光刻模板(templates)(例如光掩模(photomasks)或简单地称为掩模(masks))将图案光学地转移到基底上。举例来说，通过使辐射源的投影穿过介于中间的光掩模或标线片(倍缩光掩模)(reticle)到具有感光(photosensitive)材料(例如光致抗蚀剂(photoresist))涂层的基底上，可以实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：选择具有一波长的一辐射的一光刻光源；决定在该波长具有一介电常数的一实数部分约‑1的一组成；在一掩模基底上形成一层的该组成；根据一布局设计将该层图案化；以及使用该波长的该辐射照射该图案化的层，其中该照射包含：通过该图案化的层吸收该辐射的至少一部分；以及在一半导体基底上成像一图案，该图案与该布局设计有关且由该图案化的层定义。

【技术特征摘要】
2017.06.29 US 15/638,0101.一种半导体装置的制造方法，包括：选择具有一波长的一辐射的一光刻光源；决定在该波长具有一介电常数的一实数部分约-1的一组成；在一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈铭锋，周硕彦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71