一种新的多晶镀膜异常片返工的方法技术

本发明专利技术涉及多晶镀膜领域。一种新的多晶镀膜异常片返工的方法，当硅片的膜厚度大于等于65纳米小于等于85纳米时，属于正常厚度膜硅片，不需要进行PSG去膜，当膜厚度小于65纳米或者大于等于85纳米时，属于异常厚度膜硅片即异常片，对异常片返工时，按照PSG去膜→镀膜→丝印步骤进行，PSG去膜为将异常片放在体积比为8%的氢氟酸中酸洗，使膜厚度变为1‑10纳米，然后进行水洗、烘干。本发明专利技术通过在PSG去膜时不完全去膜，且保留膜的厚度不影响后续镀膜，从而避免了PSG去膜时对硅片的直接损坏，也避免了后续碱洗相关步骤，节省了成本，提高了效益。

A New Method for Reprocessing Abnormal Polycrystalline Coatings

The invention relates to the field of polycrystalline coating. When the film thickness of silicon wafer is greater than or equal to 65 nanometers or less than or equal to 85 nanometers, it belongs to normal thickness film silicon wafer, and does not need to be removed by PSG. When the film thickness is less than 65 nanometers or greater than or equal to 85 nanometers, it belongs to abnormal thickness film silicon wafer, that is, abnormal wafer. When the abnormal wafer is reworked, PS is carried out according to the steps of PSG film removal, coating and silk printing. In order to remove the abnormal film, G was acid washed in hydrofluoric acid with a volume ratio of 8%. The thickness of the film was changed to 1 10 nanometer, and then washed and dried. The invention can not completely remove the film when removing the PSG film, and the thickness of the retained film does not affect the subsequent coating, thus avoiding the direct damage to the silicon wafer when removing the PSG film, avoiding the subsequent alkali washing related steps, saving the cost and improving the benefit.

【技术实现步骤摘要】
一种新的多晶镀膜异常片返工的方法
本专利技术涉及多晶镀膜领域。
技术介绍
普通电池镀膜异常返洗工艺是电池制造过程的比较重要的返工工艺，通常的镀膜异常返工流程为：PSG去膜→清洗（碱洗）→扩散→湿法切边→镀膜→丝印，此返工流程比正常电池镀膜工艺复杂，且由于多次刻蚀，导致硅片较薄，容易出现碎片率超标。PSG去膜即对镀膜后异常电池片（异常片）去膜，需要使用HF酸液体酸洗，氢氟酸本身与氮化硅膜反应生成溶于水的物质，从而达到去膜的目的，但由于膜厚的差异性，在固定浓度氢氟酸药液中，去膜时间长短不一，在去膜后硅片在氢氟酸药液停留时间过长，硅与氢氟酸反应会在硅片表面形成腐蚀坑，颜色为偏黄色，称之为多孔硅。由于多孔硅电阻率高，不利于电池后期的制作，因此正常返工工艺在去膜后需要利用碱洗去除多孔硅。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：如何简略多晶镀膜异常片返工步骤，同时满足再次镀膜需求。本专利技术所采用的技术方案是：一种新的多晶镀膜异常片返工的方法，当硅片的膜厚度大于等于65纳米小于等于85纳米时，属于正常厚度膜硅片，不需要进行PSG去膜，当膜厚度小于65纳米或者大于等于85纳米时，属于异常厚度膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新的多晶镀膜异常片返工的方法，其特征在于：当硅片的膜厚度大于等于65纳米小于等于85纳米时，属于正常厚度膜硅片，不需要进行PSG去膜，当膜厚度小于65纳米或者大于等于85纳米时，属于异常厚度膜硅片即异常片，对异常片返工时，按照PSG去膜→镀膜→丝印步骤进行，PSG去膜为将异常片放在体积比为8%的氢氟酸中酸洗，使膜厚度变为1‑10纳米，然后进行水洗、烘干。

【技术特征摘要】
1.一种新的多晶镀膜异常片返工的方法，其特征在于：当硅片的膜厚度大于等于65纳米小于等于85纳米时，属于正常厚度膜硅片，不需要进行PSG去膜，当膜厚度小于65纳米或者大于等于85纳米时，属于异常厚度膜硅片即异常片，对异常片返工时，按照PSG去膜→镀膜→丝印步骤进行，PSG去膜为将异常片放在体积比为8%的氢氟酸中酸洗，使膜厚度变为...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨飞飞，焦朋府，赵彩霞，孟汉堃，张雁东，崔龙辉，张波，
申请(专利权)人：山西潞安太阳能科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：山西,14