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本发明涉及多晶镀膜领域。一种新的多晶镀膜异常片返工的方法，当硅片的膜厚度大于等于65纳米小于等于85纳米时，属于正常厚度膜硅片，不需要进行PSG去膜，当膜厚度小于65纳米或者大于等于85纳米时，属于异常厚度膜硅片即异常片，对异常片返工时，按...
该专利属于山西潞安太阳能科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西潞安太阳能科技有限责任公司授权不得商用。

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