The invention relates to a preparation method of tunneling oxidation passivation battery based on single crystal PERC front emission junction, including single crystal silicon wafer de-damaged layer, surface polishing, one-sided velveting, silicon wafer suede preparation of ultra-thin tunneling oxide SiO 2 and P-doped polycrystalline silicon layer formation N.
【技术实现步骤摘要】
基于单晶PERC正面发射结隧穿氧化钝化电池制备方法
本专利技术涉及一种太阳能电池的制备方法，尤其是涉及一种基于单晶PERC正面发射结隧穿氧化钝化电池制备方法。
技术介绍
随着太阳能光伏市场的发展，人们对高效的晶体硅电池的需求越来越急迫。N型晶体硅电池相对P型晶体硅电池而言，由于N型晶体硅对金属杂质不敏感，或者说具有很好的忍耐性能，因此N型晶体硅中少数载流子具有较大的扩散长度。此外，由于N型晶体硅采用磷掺杂，因此不存在因光照而导致的B-O络合体的形成，因而不存在P型晶体硅电池中的光致衰退现象。N型晶体硅电池逐渐成为众多研究机构和光伏企业关注的对象。现有的较成熟的晶体硅太阳能电池制备技术，普遍采用均匀性发射结掺杂，丝网印刷电极工艺。为了减小银、硅接触电阻，必须提高太阳能电池发射结表面掺杂浓度；而与此同时为了降低太阳能表面发射结的复合，提升太阳能电池的短波响应，必须降低太阳能电池的发射结掺杂浓度。选择性发射结太阳能电池有效地解决了这对矛盾，但现有设备成本较高，或重复性较差，电池制备方法均不是十分理想。目前常规单晶PERC电池正面表面钝化采用的是SiO2/SiNx叠层钝化...
【技术保护点】
1.基于单晶PERC正面发射结隧穿氧化钝化电池制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：(1)硅片在碱制绒槽中去除损伤层并进行表面抛光、单面制绒，形成1μm‑6μm高的金字塔绒面；(2)在硅片制绒面制备超薄隧穿氧化层SiO2及掺P多晶硅层形成N+发射结；(3)湿法工艺选择性刻蚀去除背面绕度掺磷的多晶硅层；(4)高温退火工艺对正面磷掺杂多晶硅层进行激活；(5)电池背面经过ALD/PECVD方式沉积5‑20nm厚的Al2O3层；(6)电池正面/背面沉积氢化非晶氮化硅钝化减反射层；(7)采用ns激光对背面钝化层进行选择性图形化开膜；(8)在电池正面及背面，采用PECVD或磁控溅射...
【技术特征摘要】
1.基于单晶PERC正面发射结隧穿氧化钝化电池制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：(1)硅片在碱制绒槽中去除损伤层并进行表面抛光、单面制绒，形成1μm-6μm高的金字塔绒面；(2)在硅片制绒面制备超薄隧穿氧化层SiO2及掺P多晶硅层形成N+发射结；(3)湿法工艺选择性刻蚀去除背面绕度掺磷的多晶硅层；(4)高温退火工艺对正面磷掺杂多晶硅层进行激活；(5)电池背面经过ALD/PECVD方式沉积5-20nm厚的Al2O3层；(6)电池正面/背面沉积氢化非晶氮化硅钝化减反射层；(7)采用ns激光对背面钝化层进行选择性图形化开膜；(8)在电池正面及背面，采用PECVD或磁控溅射法沉积80nm-100nm的氢化非晶氮化硅钝化减反射层；(9)通过丝网印刷背面铝浆/背电极，正面金属电极栅线，形成正背面电极金属化欧姆接触，制作得到正面发射结隧穿氧化钝化电池。2.根据权利要求1所述的基于单晶PERC正面发射结隧穿氧化钝化电池制备方法，其特征在于，步骤(2)中采用湿法化学工艺制备超薄的隧穿氧化层时，控制温度为50-120℃，采用的溶液为浓度69wt％的纯硝酸溶液，硅片在溶液中的反应时间控制在30-50分钟。3.根据权利要求1所述的基于单晶PERC正面发射结隧穿氧化钝化电池制备方法，其特征在于，步骤(2)中采用高温热氧化工艺制备超薄的隧穿氧化层时，控制温度为500-800℃，在纯氧条件下反应30-60分钟。4.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪建强，吴天明，郑飞，陶智华，赵钰雪，刘慎思，张忠卫，阮忠立，
申请(专利权)人：上海神舟新能源发展有限公司，上海航天工业集团有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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