半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

碳化硅半导体装置具有设置于n

Manufacturing Method of Semiconductor Device and Semiconductor Device

The silicon carbide semiconductor device has a device set at n.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往，在功率半导体元件中，为了实现元件的导通电阻的降低，制出(制造出)具有沟槽结构的纵型MOSFET(MetalOxiedSemiconductorFieldEffectTransistor：绝缘栅型场效应晶体管)。在纵型MOSFET中，由于沟道相对于基板表面垂直地形成的沟槽结构与沟道相对于基板表面平行地形成的平面结构相比，能够增大单位面积的单元密度，所以能够增加单位面积中的电流密度，从成本方面来看是有利的。然而，在纵型MOSFET形成沟槽结构时，为了沿垂直方向形成沟道而成为利用栅极绝缘膜覆盖整个沟槽内壁的结构，由于栅极绝缘膜的沟槽底部的部分靠近漏电极，所以高电场易于被施加到栅极绝缘膜的沟槽底部的部分。特别是，因为在宽带隙半导体(带隙比硅宽的半导体，例如碳化硅(SiC))中制成超高耐压元件，所以沟槽底部对栅极绝缘膜的负面影响使可靠性大幅度降低。作为解决这样的问题的方法，在沟槽结构的纵型MOSFET中，提出了在沟槽与沟槽之间平行于沟槽地设置p+型区的技术(例如，参照下述专利文献1)。图9是表示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的宽带隙半导体基板，其由带隙比硅宽的半导体构成；第一导电型的宽带隙半导体层，其设置在所述宽带隙半导体基板的正面，且由带隙比硅宽的半导体构成，所述第一导电型的宽带隙半导体层的杂质浓度比所述宽带隙半导体基板的杂质浓度低；第二导电型的第一基区，其选择性地设置在所述第一导电型的宽带隙半导体层的相对于所述宽带隙半导体基板侧为相反侧的表面层；第二导电型的第二基区，其选择性地设置在所述第一导电型的宽带隙半导体层的内部；第二导电型的宽带隙半导体层，其设置在所述第一导电型的宽带隙半导体层的相对于所述宽带隙半导体基板为相反侧的表面，且由带隙比硅宽的半导体构成；第一导...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.19 JP 2016-2451551.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的宽带隙半导体基板，其由带隙比硅宽的半导体构成；第一导电型的宽带隙半导体层，其设置在所述宽带隙半导体基板的正面，且由带隙比硅宽的半导体构成，所述第一导电型的宽带隙半导体层的杂质浓度比所述宽带隙半导体基板的杂质浓度低；第二导电型的第一基区，其选择性地设置在所述第一导电型的宽带隙半导体层的相对于所述宽带隙半导体基板侧为相反侧的表面层；第二导电型的第二基区，其选择性地设置在所述第一导电型的宽带隙半导体层的内部；第二导电型的宽带隙半导体层，其设置在所述第一导电型的宽带隙半导体层的相对于所述宽带隙半导体基板为相反侧的表面，且由带隙比硅宽的半导体构成；第一导电型的源极区，其选择性地设置在所述第二导电型的宽带隙半导体层的内部；沟槽，其贯通所述源极区和所述第二导电型的宽带隙半导体层而到达所述第一导电型的宽带隙半导体层；栅电极，其隔着栅极绝缘膜设置在所述沟槽的内部；源电极，其与所述第二导电型的宽带隙半导体层和所述源极区接触；以及漏电极，其设置在所述宽带隙半导体基板的背面，所述第一基区具有深的第一基区和浅的第一基区，所述深的第一基区位于比所述沟槽的底部向所述漏电极侧更深的位置，所述浅的第一基区位于比所述沟槽的底部向所述源极区侧更浅的位置，对所述深的第一基区，以预定的比例注入与被决定所述第一基区导电型的杂质排出的元素进行结合的其他元素。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，对所述浅的第一基区，以预定的比例注入所述元素。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在所述杂质为进入硅位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：小岛贵仁，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP