【技术实现步骤摘要】
一种氧化槽隔离型逆导型IGBT的新结构
本专利技术涉及一种IGBT半导体器件，特别提供一种氧化槽隔离型逆导型IGBT的新结构。
技术介绍
如图1，传统逆导型IGBT的集电极p+型集电极层（阳极层）1长度不同，产生负阻效应时回跳的正向压降也不同，p+型集电极层（阳极层）的长度，即相邻n+集电极短路区（阴极层）之间的长度越短，产生负阻效应时的正向压降也就越大。于是，为了消除此现象，p+型集电极层长度可达数百微米，但这会引起反向导通时电流分布不均匀，可能造成局部温度过高，带来可靠性降低的问题。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术的目的是提供了一种能解决负阻效应问题的氧化槽隔离型逆导型IGBT的新结构。为达到上述目的，本技术的技术方案如下：一种氧化槽隔离型逆导型IGBT的新结构，包括p+型集电极层（1）、多晶硅沟槽结构、n-漂移层（3）、p型基区（4）、n+发射极（5）、n型缓冲层（6）、栅极（7）、栅极氧化层（8）、表面电极层（9）、集电极金属电极层（10）和浮游p扩散层（14）；所述p型基区（4）有若干个，位于n-漂移层（3）的上部；每个p型基区（4）内设有两个n+发射极...
【技术保护点】
1.一种氧化槽隔离型逆导型IGBT的新结构，其特征在于：包括p+型集电极层（1）、多晶硅沟槽结构、n‑漂移层（3）、 p型基区（4）、 n+发射极（5）、 n型缓冲层（6）、栅极（7）、栅极氧化层（8）、表面电极层（9）、集电极金属电极层（10）和浮游p扩散层（14）；所述 p型基区（4）有若干个，位于n‑漂移层（3）的上部；每个p型基区（4）内设有两个n+发射极（5），两个所述n+发射极（5）分别位于所述P型基区（4）的左上部和右上部；所述栅极（7）位于两个相邻 p型基区（4）上的两个靠近的n+发射极（5）的上方；所述栅极氧化层（8）包围在所述栅极（7）四周；所述表面电极...
【技术特征摘要】
1.一种氧化槽隔离型逆导型IGBT的新结构，其特征在于：包括p+型集电极层（1）、多晶硅沟槽结构、n-漂移层（3）、p型基区（4）、n+发射极（5）、n型缓冲层（6）、栅极（7）、栅极氧化层（8）、表面电极层（9）、集电极金属电极层（10）和浮游p扩散层（14）；所述p型基区（4）有若干个，位于n-漂移层（3）的上部；每个p型基区（4）内设有两个n+发射极（5），两个所述n+发射极（5）分别位于所述P型基区（4）的左上部和右上部；所述栅极（7）位于两个相邻p型基区（4）上的两个靠近的n+发射极（5）的上方；所述栅极氧化层（8）包围在所述栅极（7）四周；所述表面电极层（9）覆盖在所述栅极氧化层（8）的上表面；所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈译，陈利，
申请(专利权)人：厦门芯一代集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35
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