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一种氧化槽隔离型逆导型IGBT的新结构，包括p+型集电极层、多晶硅沟槽结构、n‑漂移层、p型基区、n+发射极、n型缓冲层、栅极、栅极氧化层、表面电极层、集电极金属电极层和浮游p扩散层；所述p型基区有若干个，每个p型基区内设有两个n+发射极，...
该专利属于厦门芯一代集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门芯一代集成电路有限公司授权不得商用。

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