显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提出了一种显示面板及其制作方法，所述显示面板包括阵列基板，包括基板、及位于所述基板上的薄膜晶体管单元和存储电容；位于所述阵列基板上的发光器件层；其中，所述存储电容在所述发光器件层上的正投影位于所述发光器件层内。本发明专利技术通过利用透明金属材料制作阵列基板的存储电容区，并在所述存储电容上设置发光器件层，增加了显示面板的开口率，提高了显示面板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制作方法
本专利技术涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及其制作方法。
技术介绍
在平板显示技术中，有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点，逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。随着显示面板的发展，对于底发光型OLED显示面板，阵列基板中的开关单元、薄膜晶体管单元及存储电容的存在，导致像素单元中开口率的限制，满足不了目前高分辨率显示面板的需求。因此，目前亟需一种显示面板以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板及其制作方法，以解决现有显示面板开口率较低的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供了一种显示面板，其包括：阵列基板，包括基板、及位于所述基板上的薄膜晶体管单元和存储电容；位于所述阵列基板上的发光器件层；其中，所述存储电容在所述发光器件层上的正投影位于所述发光器件层内。在本专利技术的显示面板中，所述存储电容包括位于所述基板上的第一电极、位于所述第一电极上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二电极；其中，所述第一电极和所述第二电极由透明材料制成。在本专利技术的显示面板中，所述第一绝缘层包括三氧化二铝。在本专利技术的显示面板中，所述薄膜晶体管单元包括：位于所述基板上的遮光层、位于所述遮光层上的缓冲层、位于所述缓冲层上的有源层、位于所述有源层上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的栅极层、位于所述栅极层上的间绝缘层、位于所述间绝缘层上的源漏极层、位于所述源漏极层上的钝化层、位于所述钝化层上的平坦层、及位于所述平坦层上的像素电极层；其中，所述第一电极与所述有源层同层设置；所述第一绝缘层与所述间绝缘层同层设置；所述第二电极与所述源漏极层或所述像素电极层在同一道光罩工艺中形成。在本专利技术的显示面板中，所述存储电容还包括第三电极，所述第三电极由由透明材料制成；其中，当所述第二电极与所述源漏极层同层设置时，所述第三电极与所述栅极层同层设置；当所述第二电极与所述像素电极层同层设置时，所述第三电极与所述栅极层或所述源漏极层同层设置。本专利技术还提出了一种显示面板的制作方法，其包括：提供一基板；在所述基板上形成薄膜晶体管单元和存储电容；在所述薄膜晶体管单元及所述存储电容上形成发光器件层；其中，所述存储电容在所述发光器件层上的正投影位于所述发光器件层内。在本专利技术的制作方法中，所述存储电容包括位于所述基板上的第一电极、位于所述第一电极上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二电极；其中，所述第一电极和所述第二电极由透明材料制成。在本专利技术的制作方法中，所述第一绝缘层包括三氧化二铝。在本专利技术的制作方法中，所述薄膜晶体管单元包括；位于所述基板上的遮光层、位于所述遮光层上的缓冲层、位于所述缓冲层上的有源层、位于所述有源层上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的栅极层、位于所述栅极层上的间绝缘层、位于所述间绝缘层上的源漏极层、位于所述源漏极层上的钝化层、位于所述钝化层上的平坦层、及位于所述平坦层上的像素电极层；其中，所述第一电极与所述有源层同层设置；所述第一绝缘层与所述间绝缘层同层设置；所述第二电极与所述源漏极层或所述像素电极层在同一道光罩工艺中形成。在本专利技术的制作方法中，所述存储电容还包括第三电极，所述第三电极由由透明材料制成；其中，当所述第二电极与所述源漏极层同层设置时，所述第三电极与所述栅极层同层设置；当所述第二电极与所述像素电极层同层设置时，所述第三电极与所述栅极层或所述源漏极层同层设置。有益效果：本专利技术通过利用透明金属材料制作阵列基板的存储电容区，并在所述存储电容上设置发光器件层，增加了显示面板的开口率，提高了显示面板的显示效果。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一种显示面板的膜层结构图图2为本专利技术实施例一显示面板的膜层结构图；图3为本专利技术实施例二显示面板的膜层结构图；图4为本专利技术实施例三显示面板的膜层结构图；图5为本专利技术一种显示面板制作方法的工步骤图；图6为本专利技术一种显示面板制作方法的另一种工艺步骤图；图7A～7D为本专利技术一种显示面板制作方法工艺流程图；图8为本专利技术一种显示面板的另一膜层结构图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。图1所示为专利技术提供一种显示面板的膜层结构图，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括基板101、及位于所述基板101上的薄膜晶体管层、及位于所述薄膜晶体管层上的发光器件层40；其中，所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管单元10、存储电容20、及开关单元30，所述存储电容20在所述发光器件层40上的正投影位于所述发光器件层40内。本实施例中，图1中的开关单元30不作具体介绍；进一步的，如图2所示，所述基板101的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种；进一步的，当所述阵列基板为柔性基板时，可选地可以为有机聚合物；优选的，所述柔性材料可以为聚酰亚胺薄膜。所述薄膜晶体管单元10包括ESL(蚀刻阻挡层型)、BCE(背沟道蚀刻型)或Top-gate(顶栅薄膜晶体管型)结构，具体没有限制；例如顶栅薄膜晶体管型包括：遮光层102、缓冲层103、有源层104、栅绝缘层105、栅极层106、间绝缘层107、源漏极层108以、钝化层109及平坦化层。所述遮光层102形成于所述基板101上，主要用于遮挡光源进行薄膜晶体管单元10，影响薄膜晶体管的驱动效果；所述缓冲层103形成于所述遮光层102上，主要用于缓冲膜层质结构之间的压力，并且还可以具有一定阻水氧的功能；所述有源层104形成于所述缓冲层103上，所述有源层104包括经离子掺杂的掺杂区(未画出)；可以理解的，所述有源层为铟镓锌氧化物(IGZO)，即导电的半导体，同时也是透明材料；所述栅绝缘层105形成于所述有源层104上；本实施例中，所述间绝缘层107将所述有源层104覆盖，所述间绝缘层107用于将所述有源层104与其他金属层隔离；所述栅极层106形成于所述栅绝缘层105上，所述栅极层105的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种金属材料的组合物；优选的，本实施例中，所述栅极层106的金属材料为钼；所述间绝缘层107形成于所述栅极层106上；本实施例中，所述间绝缘层107将所述栅极层106覆盖，所述栅绝缘层105主要用于将所述栅极层106和所述源漏极层108隔离；所述源漏极层108形成于所述间绝缘层107上，所述源漏极层108的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜或钛铝合金等金属，也可以使用上述几种金属材料的组合物；所述源漏极层108通过过孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板，包括基板、及位于所述基板上的薄膜晶体管单元和存储电容；位于所述阵列基板上的发光器件层；其中，所述存储电容在所述发光器件层上的正投影位于所述发光器件层内。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板，包括基板、及位于所述基板上的薄膜晶体管单元和存储电容；位于所述阵列基板上的发光器件层；其中，所述存储电容在所述发光器件层上的正投影位于所述发光器件层内。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述存储电容包括位于所述基板上的第一电极、位于所述第一电极上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二电极；其中，所述第一电极和所述第二电极由透明金属材料制成。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层包括三氧化二铝。4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管单元包括：位于所述基板上的遮光层、位于所述遮光层上的缓冲层、位于所述缓冲层上的有源层、位于所述有源层上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的栅极层、位于所述栅极层上的间绝缘层、位于所述间绝缘层上的源漏极层、位于所述源漏极层上的钝化层、位于所述钝化层上的平坦层、及位于所述平坦层上的像素电极层；其中，所述第一电极与所述有源层同层设置；所述第一绝缘层与所述间绝缘层同层设置；所述第二电极与所述源漏极层或所述像素电极层在同一道光罩工艺中形成。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述存储电容还包括第三电极，所述第三电极由透明材料制成；其中，当所述第二电极与所述源漏极层同层设置时，所述第三电极与所述栅极层同层设置；当所述第二电极与所述像素电极层同层设置时，所述第三电极与所述栅极层或所述源漏极层同层设置。6.一种显...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖辉，任章淳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44