光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置制造方法及图纸

一种光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置。该光刻方法包括：提供形成有待刻材料层的衬底基板，该衬底基板包括中间区域和围绕中间区域的周边区域；在衬底基板上涂覆一层光刻胶，该光刻胶涂覆在中间区域和周边区域中；烘干光刻胶，同时对涂覆在周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理。该光刻方法在烘干光刻胶的同时对位于周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理，可以节约生产时间，并可以使位于周边区域中的光刻胶得到更充分的曝光。

Lithography method, fabrication method of flexible substrate and photoresist drying device

The invention relates to a photolithography method, a preparation method of a flexible substrate and a photoresist drying device. The photolithography method includes: providing a substrate forming a layer of material to be etched, which comprises an intermediate region and a peripheral region surrounding the intermediate region; coating a photoresist on the substrate, which is coated in the intermediate region and the peripheral region; drying the photoresist while performing a first exposure treatment on the photoresist coated in the peripheral region. In this method, the photoresist in the surrounding area is first exposed while drying the photoresist. The production time can be saved and the photoresist in the surrounding area can be more fully exposed.

【技术实现步骤摘要】
光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置
本公开的实施例涉及一种光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置。
技术介绍
光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂(光刻胶)将掩膜版上的图形转移到待刻蚀基片上的技术。光刻技术的主要流程例如包括：将光源发出的光通过掩膜版照射到涂覆有一层光刻胶薄膜的待刻蚀基片表面，使得曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影工艺溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶(前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶)，使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀工艺将该图形转移到待刻蚀基片上。
技术实现思路
本公开至少一实施例提供一种光刻方法，包括：提供形成有待刻材料层的衬底基板，其中，所述衬底基板包括中间区域和围绕所述中间区域的周边区域；在所述衬底基板上涂覆一层光刻胶，其中，所述光刻胶涂覆在所述中间区域和所述周边区域中；烘干所述光刻胶，同时对涂覆在所述周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理。例如，本公开至少一实施例提供的光刻方法中，在烘干所述光刻胶之后，所述方法还包括：至少对涂覆在所述中间区域的所述光刻胶进行第二曝光处理。例如，本公开至少一实施例提供的光刻方法中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻方法，包括：提供形成有待刻材料层的衬底基板，其中，所述衬底基板包括中间区域和围绕所述中间区域的周边区域；在所述衬底基板上涂覆一层光刻胶，其中，所述光刻胶涂覆在所述中间区域和所述周边区域中；烘干所述光刻胶，同时对涂覆在所述周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理。

【技术特征摘要】
1.一种光刻方法，包括：提供形成有待刻材料层的衬底基板，其中，所述衬底基板包括中间区域和围绕所述中间区域的周边区域；在所述衬底基板上涂覆一层光刻胶，其中，所述光刻胶涂覆在所述中间区域和所述周边区域中；烘干所述光刻胶，同时对涂覆在所述周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理。2.根据权利要求1所述的光刻方法，其中，在烘干所述光刻胶之后，所述方法还包括：至少对涂覆在所述中间区域的所述光刻胶进行第二曝光处理。3.根据权利要求2所述的光刻方法，其中，在所述第二曝光处理之后，所述方法还包括：对涂覆在所述中间区域和所述周边区域的所述光刻胶进行显影工艺，以在所述衬底基板的所述中间区域中形成光刻胶图案，并去除所述周边区域中的所述光刻胶；其中，所述光刻胶图案用作刻蚀掩膜。4.根据权利要求1所述的光刻方法，其中，所述第一曝光处理包括：采用导光装置对曝光光源发出的光进行引导，使得经所述导光装置引导的光的出射范围对应于所述周边区域。5.根据权利要求1所述的光刻方法，其中，所述光刻胶为正性光刻胶。6.一种柔性基板的制备方法，包括：在支撑基板上形成柔性材料层，其中，所述支撑基板包括柔性基板形成区域和围绕所述柔性基板形成区域的周边区域；在所述柔性材料层上采用光刻工艺进行构图，其中，所述光刻工艺包括涂覆一层光刻胶并烘干所述光刻胶，所述光刻胶涂覆在所述柔性基板形成区域和所述周边区域中；在烘干所述光刻胶的同时，对涂覆在所述周边区域的所述光刻胶进行第一曝光处理。7.根据权利要求6所述的柔性基板的制备方法，其中，在烘干所述光刻胶之后，所述方法还包括：至少对涂覆在所述柔性基板形成区域的所述光刻胶进行第二曝光处理。8.根据权利要求7所述的柔性基板的制备方法，其中，所述光刻胶为正性光刻胶。9.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐成，孙泽斌，甄珍，张浩，张时涛，樊新星，张旭东，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11