改善光刻胶表面粗糙度的方法技术

本发明专利技术涉及一种改善光刻胶表面粗糙度的方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括：应用HMDS对清洗过后的晶圆表面进行疏水化处理；将经疏水化处理过后的晶圆传送至匀胶显影机的冷板冷却至室温，通过转速为ω0的旋转涂胶方法将光刻胶均匀涂布在晶圆表面；以烘焙温度T0对涂有光刻胶的晶圆进行烘干；以转速ω1旋转经烘干后的晶圆，并同时用溶剂喷淋在光刻胶表面，其中ω1＜ω0；以及，以烘焙温度T1对经喷淋后的晶圆进行再次烘干，其中T1＜T0，以改善光刻胶表面的粗糙度，促使晶圆后续进行更均匀、充分的曝光。

【技术实现步骤摘要】
改善光刻胶表面粗糙度的方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种改善光刻胶表面粗糙度的方法。
技术介绍
在半导体集成电路制造技术中，光刻工艺是其中关键步骤之一。光刻胶为光刻工艺中最为关键的材料，当光刻胶被旋涂在晶圆表面后，必须经过烘焙处理，将光刻胶中的溶剂蒸发，从而改善光刻胶与晶圆之间的黏附性，提高光刻胶厚度均匀性以及在后续刻蚀工艺中的线宽均匀性。随着光刻技术节点(28nm-20nm-14nm)的持续深入，所需光刻胶的厚度越来越薄，对光刻胶表面的均匀平整性以及颗粒缺陷控制要求也越来越高，旋涂表面凹凸不平整或者颗粒缺陷过多的光刻胶都会导致后续曝光图形的大面积失败，从而对生产工艺带来重大的经济损失。目前，旋涂光刻胶后的晶圆在匀胶显影机的热盘内进行烘焙处理，由三个顶针承载旋涂有光刻胶的晶圆，使其与热盘保持25～100um的间隙，以改善烘焙温度的均匀性。然而，涂布后的光刻胶随着烘焙温度的提升，分子链运动逐渐加剧，分子间自由体积增大，其中溶剂的蒸发速率也逐渐加快。当光刻胶达到最高烘焙温度时，溶剂的蒸发速率也相应达到最大值。溶剂的快速蒸发极有可能会导致光刻胶表面膨胀呈现凸起的微观结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善光刻胶表面粗糙度的方法，其特征在于，包括：S1：应用六甲基二硅胺脘蒸汽(HMDS)对清洗过后的晶圆表面进行疏水化处理；S2：将经疏水化处理过后的晶圆传送至匀胶显影机的冷板冷却至室温，通过转速为ω0的旋转涂胶方法将光刻胶均匀涂布在晶圆表面；S3：以烘焙温度T0对涂有光刻胶的晶圆进行烘干；S4：以转速ω1旋转经步骤S3烘干后的晶圆，并同时用溶剂喷淋在光刻胶表面，其中ω1＜ω0；以及S5：以烘焙温度T1对经步骤S4喷淋后的晶圆进行再次烘干，其中T1＜T0。

【技术特征摘要】
1.一种改善光刻胶表面粗糙度的方法，其特征在于，包括：S1：应用六甲基二硅胺脘蒸汽(HMDS)对清洗过后的晶圆表面进行疏水化处理；S2：将经疏水化处理过后的晶圆传送至匀胶显影机的冷板冷却至室温，通过转速为ω0的旋转涂胶方法将光刻胶均匀涂布在晶圆表面；S3：以烘焙温度T0对涂有光刻胶的晶圆进行烘干；S4：以转速ω1旋转经步骤S3烘干后的晶圆，并同时用溶剂喷淋在光刻胶表面，其中ω1＜ω0；以及S5：以烘焙温度T1对经步骤S4喷淋后的晶圆进行再次烘干，其中T1＜T0。2.根据权利要求1所述的改善光刻胶表面粗糙度的方法，其特征在于，步骤S1中应用...

【专利技术属性】
技术研发人员：成智国，耿文练，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31