齐纳二极管的制备方法及齐纳二极管技术

本发明专利技术提供的一种齐纳二极管的制备方法及齐纳二极管，通过形成横向相接的不同掺杂类型的第一掺杂区和第二掺杂区，制成了具有横向pn结的齐纳二极管，避免了形成纵向pn结时，需要将掺杂深度较大的区域与其他掺杂区域区分开的掩膜及掺杂步骤，大大降低了齐纳二极管的掩膜成本。

Preparation of Zener Diode and Zener Diode

The invention provides a preparation method of Zener diode and a zener diode. By forming the first doping region and the second doping region of different doping types which are transversely connected, a zener diode with transverse PN junction is made, which avoids the mask and doping steps that need to separate the doping region with larger depth from other doping regions when forming the longitudinal PN junction, and greatly reduces the homogeneity. The mask cost of nano-diodes.

【技术实现步骤摘要】
齐纳二极管的制备方法及齐纳二极管
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种齐纳二极管的制备方法及齐纳二极管。
技术介绍
齐纳二极管(Zenerdiode)，又可称作稳压二极管，它利用的是pn结的反向击穿状态，即pn结反向击穿时，电流变化范围很大，而电压却基本不变，此时维持的电压称为击穿电压(BreakdownVoltage,也称为稳定电压)，从而可以起到稳压的作用。齐纳二极管已在集成电路领域获得广泛的应用，主要作为稳压器及电压基准元件等。现有技术中，齐纳二极管的反向击穿电压通常是由纵向pn结决定的。即，需要形成纵向叠层的p区及n区以形成pn结，因此，p区和n区中必有一个区域的掺杂深度较大，即掺杂深度大于其它掺杂区域的掺杂深度，故为了将该掺杂深度大的区域与其它掺杂区域区别开，必须要采用额外的掩膜板(mask)及相应的掩膜步骤，这就导致了工艺成本的增加。故目前急需提出新的方法以降低现有齐纳二极管过高的掩膜工艺成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种齐纳二极管的制备方法及齐纳二极管，以解决现有技术中的具有纵向pn结的齐纳二极管掩膜工艺成本过高的问题。为此，本专利技术提出了一种齐纳二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种齐纳二极管的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底中形成一阱区；在所述阱区中形成掺杂类型不同的第一掺杂区和第二掺杂区，所述阱区、所述第一掺杂区和所述第二掺杂区暴露于所述基底的表面，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区横向排列并且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区相接，以使所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的相接区域组成所述齐纳二极管的pn结。

【技术特征摘要】
1.一种齐纳二极管的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底中形成一阱区；在所述阱区中形成掺杂类型不同的第一掺杂区和第二掺杂区，所述阱区、所述第一掺杂区和所述第二掺杂区暴露于所述基底的表面，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区横向排列并且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区相接，以使所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的相接区域组成所述齐纳二极管的pn结。2.如权利要求1所述的齐纳二极管的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的形成方法包括：在所述基底中形成相互间隔的第一掺杂本体区和第二掺杂本体区，并对所述第一掺杂本体区和所述第二掺杂本体区执行热扩散工艺，使第一掺杂本体区中的掺杂离子扩散形成与所述第一掺杂本体区横向相接的第一掺杂扩散区，使所述第二掺杂本体区中的掺杂离子扩散形成与所述第二掺杂本体区横向相接的第二掺杂扩散区；其中，所述第一掺杂扩散区和所述第二掺杂扩散区横向相接；所述第一掺杂本体区和所述第一掺杂扩散区组成所述第一掺杂区，所述第二掺杂本体区和所述第二掺杂扩散区组成所述第二掺杂区。3.如权利要求2所述的齐纳二极管的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂本体区和所述第二掺杂本体区的形成方法包括：在所述基底上形成一本体区硬掩膜层，所述本体区硬掩膜层覆盖部分所述阱区；在所述基底上形成一本体区第一掩膜层，所述本体区第一掩膜层覆盖部分所述阱区和所述本体区硬掩膜层的部分，以利用所述本体区第一掩膜层和本体区硬掩膜层中暴露出所述阱区的开口作为第一掺杂开口，形成所述第一掺杂本体区；在所述基底上形成一本体区第二掩膜层，所述本体区第二掩膜层覆盖部分所述阱区和所述本体区硬掩膜层的部分，以利用所述本体区第二掩膜层和本体区硬掩膜层中暴露出所述阱区的开口作为第二掺杂开口，形成所述第二掺杂本体区；其中，所述本体区硬掩膜层位于所述第一掺杂本体区和所述第二掺杂本体区之间的所述阱区上方。4.如权利要求3所述的齐纳二极管的制备方法，其特征在于，所述本体区硬掩膜层还用于界定出后续形成的所述第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区的横向长度之和，通过控制所述本体区硬掩膜层的尺寸以控制所述横向长度之和，实现对所述齐纳二极管的反向击穿电压的调整；其中，所述横向长度之和为所述第一掺杂扩散区和所述第二掺杂扩散区沿横向扩散方向上的长度之和。5.如权利要求3所述的齐纳二极管的制备方法，其特征在于，所述本体区硬掩膜层的形成方法包括：形成一多晶硅栅；在所述多晶硅栅两侧形成侧墙，所述多晶硅栅和所述侧墙共同构成所述本体区硬掩膜层。6.如权利要求5所述的齐纳二极管的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙玉红，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31