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本发明提供的一种齐纳二极管的制备方法及齐纳二极管，通过形成横向相接的不同掺杂类型的第一掺杂区和第二掺杂区，制成了具有横向pn结的齐纳二极管，避免了形成纵向pn结时，需要将掺杂深度较大的区域与其他掺杂区域区分开的掩膜及掺杂步骤，大大降低了齐纳...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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