This application discloses a manufacturing method of static random access memory, which relates to the field of semiconductor technology. The method includes: providing a substrate structure, which includes: a substrate; a first set of fins on the substrate, including the first fin for the first pull-up transistor and the second fin for the second pull-up transistor; an isolation area around each fin; and a gate structure on each fin; forming a first mask layer on the substrate structure, the first mask layer making the first and second fins. The uncovered part of the corresponding gate structure is exposed; the first mask layer is used as the mask to perform the first and second LDD injection; the first mask layer makes the first LDD injection into the exposed part of the first fin facing the side of the second fin, and the exposed part of the second fin is not injected into the side of the first fin; the first mask layer makes the second LDD inject into the exposed part of the second fin. Faced with one side injection of the first fin, the exposed part of the first fin is not injected back to the side of the second fin.
【技术实现步骤摘要】
静态随机存储器的制造方法
本申请涉及半导体
，尤其涉及一种静态随机存储器的制造方法。
技术介绍
静态随机存储器(StaticRandomAccessMemory，SRAM)具有高速、低功耗等特点，被广泛应用于个人通信及消费类电子产品。图1示出了一个基本的SRAM单元的结构示意图。如图1所示，一个基本的SRAM单元包括2个上拉晶体管(PU1和PU2)、2个下拉晶体管(PD1和PD2)以及2个通过栅晶体管(PG1和PG2)。为了更好的读性能，PD1的饱和电流与PG1的饱和电流的比值Ipd1/Ipg1以及PD2的饱和电流与PG2的饱和电流的比值Ipd2/Ipg2被设计为比较大；而为了更好的写性能，PG1的饱和电流与PU1的饱和电流的比值Ipg1/Ipu1以及PG2的饱和电流与PU2的饱和电流的比值Ipg2/Ipu2被设计为比较大。因此，如何兼顾SRAM的读性能和写性能是一个尚待解决的问题。为了调整SRAM中各晶体管的饱和电流，可以对用于各晶体管的鳍片进行漏轻掺杂(LDD)注入。图2示出了现有技术中对SRAM中的上拉晶体管PU1和PU2进行LDD注入的示意图。衬底2...
【技术保护点】
1.一种静态随机存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底，在所述衬底上的第一组鳍片，包括彼此间隔开的用于第一上拉晶体管的第一鳍片和用于第二上拉晶体管的第二鳍片，在每个鳍片周围的隔离区，所述隔离区的上表面低于每个鳍片的上表面，以及在每个鳍片上的栅极结构；在所述衬底结构上形成第一掩模层，所述第一掩模层使得所述第一鳍片和所述第二鳍片未被相应的栅极结构覆盖的部分露出；以及以所述第一掩模层为掩模执行第一轻掺杂漏LDD注入和第二LDD注入；其中，所述第一掩模层使得所述第一LDD注入对所述第一鳍片的露出部分面对所述第二鳍片的一侧注入，而对所述第二鳍片的露出...
【技术特征摘要】
1.一种静态随机存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底，在所述衬底上的第一组鳍片，包括彼此间隔开的用于第一上拉晶体管的第一鳍片和用于第二上拉晶体管的第二鳍片，在每个鳍片周围的隔离区，所述隔离区的上表面低于每个鳍片的上表面，以及在每个鳍片上的栅极结构；在所述衬底结构上形成第一掩模层，所述第一掩模层使得所述第一鳍片和所述第二鳍片未被相应的栅极结构覆盖的部分露出；以及以所述第一掩模层为掩模执行第一轻掺杂漏LDD注入和第二LDD注入；其中，所述第一掩模层使得所述第一LDD注入对所述第一鳍片的露出部分面对所述第二鳍片的一侧注入，而对所述第二鳍片的露出部分背对所述第一鳍片的一侧不注入；并且所述第一掩模层使得所述第二LDD注入对所述第二鳍片的露出部分面对所述第一鳍片的一侧注入，而对所述第一鳍片的露出部分背对所述第二鳍片的一侧不注入。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一LDD注入的注入能量、注入剂量和注入杂质中的至少一个参数与所述第二LDD注入不同。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一LDD注入和/或所述第二LDD注入的注入方向与所述衬底的法线之间的角度为0-20度。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一LDD注入的注入方向与垂直于所述第一鳍片的侧面的面之间的角度为0-10度；所述第二LDD注入的注入方向与垂直于所述第二鳍片的侧面的面之间的角度为0-10度。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一组鳍片还包括用于第一通过栅晶体管和第一下拉晶体管的第三鳍片以及用于第二通过栅晶体管和第二下拉晶体管的第四鳍片；其中，所述第一鳍片和所述第二鳍片位于所述第三鳍片与所述第四鳍片之间。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述衬底结构还包括在所述衬底上的第二组鳍片，所述第二组鳍片与所述第一组鳍片中的各鳍片相同，并且，所述第二组鳍片中的第三鳍片与所述第一组鳍片中的第四鳍片相邻。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，各鳍片之间的间距相同。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：去除所述第一掩模层；在所述衬底结构上形成第二掩模层，所述第二掩模层使得所述第一组鳍片中的第四鳍片和所述第二组鳍片中的第三鳍片未被相应的栅极结构覆盖的部分露出；以及以所述第二掩模层为掩模执行第三LDD注入和第四LDD注入；其中，所述第二掩模层使得所述第三LDD注入对所述第一组鳍片中的第四鳍片的露出部分面对所述第二组鳍片中的第三鳍片的一侧注入，而对所述第二组鳍片中的第三鳍片的露出部分背对所述第一组鳍片中的第四鳍片的一侧不注入；并且所述第二掩模层使得所述第四LDD注入对所述第二组鳍片中的第三鳍片的露出部分面对所述第一组鳍片中的第四鳍...
【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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