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本申请公开了一种静态随机存储器的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，其包括：衬底；在衬底上的第一组鳍片，包括用于第一上拉晶体管的第一鳍片和用于第二上拉晶体管的第二鳍片；在每个鳍片周围的隔离区；和在每个鳍片上的栅极结构；在...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。