一种半导体器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括：提供基底，在所述基底上形成有高K介电层；对所述高K介电层进行氮化处理，以在所述高K介电层的表面形成第一氮化层；在所述第一氮化层上形成第一覆盖层；对所述第一覆盖层进行氮化处理，以在所述第一覆盖层的表面形成第二氮化层；在所述第二氮化层上形成第二覆盖层。所述半导体器件的高温操作寿命失效由600ppm降至小于10ppm。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。
技术介绍
在集成电路制造领域，随着MOS晶体管的不断缩小，尤其是在32nm以下的工艺中，各种因为器件的物理极限所带来的二级效应不可避免，器件的特征尺寸按比例缩小变得困难，其中MOS晶体管器件及其电路制造领域容易出现从栅极向衬底的漏电问题。当前工艺的解决方法是采用高K栅极材料和金属栅的方法，其中高K金属栅极的SRAM(StaticRandomAccessMemory，静态随机存取存储器)以其低功耗、高速的优点成为片上存储器中不可或缺的重要组成部分。SRAM只要为其供电即可保存数据，无需不断对其进行刷新。SRAM的可靠性对于保证电学应用的稳定和安全的操作来说是至关重要的，高温操作寿命(HighTemperatureOperatingLife，HTOL)是被普遍接受的一种测试方法，用来表征在应力过程中SRAM阈值电压的偏移。在高K金属栅极的SRAM的制备中存在的问题是高温操作寿命(HighTemperatureOperatingLife，HTOL)性能下降甚至失效，成为制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，在所述基底上形成有高K介电层；对所述高K介电层进行氮化处理，以在所述高K介电层的表面形成第一氮化层；在所述第一氮化层上形成第一覆盖层；对所述第一覆盖层进行氮化处理，以在所述第一覆盖层的表面形成第二氮化层；在所述第二氮化层上形成第二覆盖层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，在所述基底上形成有高K介电层；对所述高K介电层进行氮化处理，以在所述高K介电层的表面形成第一氮化层；在所述第一氮化层上形成第一覆盖层；对所述第一覆盖层进行氮化处理，以在所述第一覆盖层的表面形成第二氮化层；在所述第二氮化层上形成第二覆盖层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述高K介电层进行氮化处理之后、形成所述第一覆盖层之前执行均热退火步骤。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述均热退火的温度为100℃-500℃，时间为不大于100s。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在含氮量不大于30％的气氛中对所述高K介电层进行氮化处理，所述氮化处理时间为不大于500秒，以形成所述第一氮化层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一覆盖层的厚度为5埃-15埃。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一覆盖层进行氮化处理之后、形成所述第二覆盖层之前执行均热退火步骤。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述均热...

【专利技术属性】
技术研发人员：马孝田，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31