The present disclosure relates to a method for forming an isolation structure in a semiconductor material layer, including: forming a dielectric region at least at the bottom of the isolation structure to be formed in the semiconductor material layer; forming a groove corresponding to the isolation structure, in which the bottom of the groove ends at the top of the dielectric region; and filling the groove with dielectrics. The material is used to form the isolation structure. The present disclosure relates to a method for forming grooves in a semiconductor material layer. This disclosure facilitates the simplification of the production process.
【技术实现步骤摘要】
在半导体材料层中形成隔离结构的方法和形成沟槽的方法
本公开涉及半导体
，具体来说，涉及一种在半导体材料层中形成隔离结构的方法以及在半导体材料层中形成沟槽的方法。
技术介绍
在有些情况下，需要在半导体材料层中形成不同深度的隔离结构。例如，可能需要在CMOS图像传感器的逻辑区形成第一深度的沟槽隔离结构，而在像素区形成第二深度的沟槽隔离结构，其中第一深度与第二深度不同。因此，存在对新技术的需求。
技术实现思路
本公开的目的之一是提供一种在半导体材料层中形成隔离结构的方法以及在半导体材料层中形成沟槽的方法。根据本公开的第一方面，提供了一种在半导体材料层中形成隔离结构的方法。该方法包括：将所述半导体材料层中的将要形成的所述隔离结构的至少底部区域形成为电介质区域；形成与所述隔离结构对应的沟槽，其中，所述沟槽的底部止于所述电介质区域的顶部；以及在所述沟槽中填入电介质材料以形成所述隔离结构。根据本公开的第二方面，提供了一种在半导体材料层中形成沟槽的方法。该方法包括：将所述半导体材料层中的将要形成的所述沟槽的至少底部区域形成为电介质区域；进行第一刻蚀处理以对将要形成所述沟槽的区域...
【技术保护点】
1.一种在半导体材料层中形成隔离结构的方法，包括：将所述半导体材料层中的将要形成的所述隔离结构的至少底部区域形成为电介质区域；形成与所述隔离结构对应的沟槽，其中，所述沟槽的底部止于所述电介质区域的顶部；以及在所述沟槽中填入电介质材料以形成所述隔离结构。
【技术特征摘要】
1.一种在半导体材料层中形成隔离结构的方法，包括：将所述半导体材料层中的将要形成的所述隔离结构的至少底部区域形成为电介质区域；形成与所述隔离结构对应的沟槽，其中，所述沟槽的底部止于所述电介质区域的顶部；以及在所述沟槽中填入电介质材料以形成所述隔离结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述沟槽包括：通过刻蚀处理形成所述沟槽，其中所述刻蚀处理以所述电介质区域为刻蚀停止层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质区域由氧化物形成，其中形成所述电介质区域包括：向所述半导体材料层中的将要形成的所述隔离结构的至少底部区域中注入氧离子；以及对所述半导体材料层进行热处理以形成所述电介质区域。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述注入的氧离子的剂量为1E15cm-2～5E17cm-2，能量为50KeV～250KeV。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述注入包括多次注入。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述电介质区域之前，在所述半导体材料层之上形成掩蔽层。7.根据权利要求6所述的方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏代龙，王连红，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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