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本公开涉及一种在半导体材料层中形成隔离结构的方法，包括：将所述半导体材料层中的将要形成的所述隔离结构的至少底部区域形成为电介质区域；形成与所述隔离结构对应的沟槽，其中，所述沟槽的底部止于所述电介质区域的顶部；以及在所述沟槽中填入电介质材料以...
该专利属于德淮半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。

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