一种CMP晶圆清洗设备制造技术

本发明专利技术公开了一种CMP晶圆清洗设备，包括依次排列的清洗输入单元、兆声清洗单元、第一刷洗单元、第二刷洗单元、甩干单元，传输机械手和翻转机械手位于清洗设备的上方，传输机械手包括水平运动轴、垂直运动轴和晶圆抓取装置，可将晶圆在所述单元之间传输，翻转机械手将所述抓取装置中的晶圆抓取并翻转。除此之外，还包括缓冲单元，所述缓冲单元位于清洗输入单元的前方，可以临时存放晶圆。还包括抛光晶圆通道，其位于清洗输入单元和兆声清洗单元之间，方便CMP步骤前的晶圆进入抛光区域时穿过清洗设备。本发明专利技术引进了缓冲单元，当CMP晶圆清洗设备发生故障时，对于抛光好的晶圆就可以实现安全存储，也可以有效解决位于程序转换之间的晶圆的安全存储问题。

A CMP Wafer Cleaning Equipment

The invention discloses a CMP wafer cleaning device, which comprises sequentially arranged cleaning input units, mega-sound cleaning units, first cleaning units, second cleaning units and drying units. The transmission manipulator and the turnover manipulator are located above the cleaning equipment. The transmission manipulator includes a horizontal motion axis, a vertical motion axis and a wafer grabbing device, and the wafer can be transmitted between the units. The turning manipulator grasps and flips the wafer in the grabbing device. In addition, a buffer unit is also included, which is located in front of the cleaning input unit and can temporarily store wafers. The polishing wafer channel is located between the cleaning input unit and the megaphone cleaning unit to facilitate the wafer passing through the cleaning equipment when it enters the polishing area before the CMP step. The invention introduces a buffer unit. When the CMP wafer cleaning equipment fails, the polished wafer can be stored safely, and the problem of wafer storage between program conversion can be effectively solved.

【技术实现步骤摘要】
一种CMP晶圆清洗设备
本专利技术属于晶圆磨削或抛光工艺
，涉及应用于CMP后的晶圆清洗领域的一种CMP晶圆清洗设备。
技术介绍
随着半导体产业的迅速发展，集成电路特征尺寸不断趋于微细化，半导体晶片不断地朝小体积、高电路密集度、快速、低耗电方向发展，集成电路现已进入ULSI亚微米级的技术阶段。伴随着硅晶片直径的逐渐增大，元件内刻线宽度逐步缩小，金属层数的增多，因此半导体薄膜表面的高平坦化对器件的高性能、低成本、高成品率有着重要的影响，这导致对硅晶片表面的平整度要求将日趋严格。目前，作为唯一能获得全局平面化效果的平整化技术化学机械抛光技术，CMP(ChemicalMechanicalPlanarization，化学机械平坦化)已经发展成集在线量测、在线终点检测、清洗等技术于一体的化学机械抛光技术，是集成电路向微细化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物。同时也是晶圆由200mm向300mm乃至更大直径过渡、提高生产率、降低制造成本、衬底全局平坦化所必需的工艺技术。在晶圆进行CMP加工后，会在晶圆表面残留加工的移除物和抛光液，为了及时去除晶圆表面的污染物，CMP设备需要搭配清洗设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMP晶圆清洗设备，包括依次排列的清洗输入单元(1)、兆声清洗单元(2)、第一刷洗单元(3)、第二刷洗单元(4)、甩干单元(5)，传输机械手(6)和翻转机械手(7)位于清洗设备的上方，传输机械手(6)包括水平运动轴(601)、垂直运动轴(602)和晶圆抓取装置，可将晶圆在所述单元之间传输，翻转机械手(7)将所述晶圆抓取装置中的晶圆抓取并翻转，其特征在于，还包括缓冲单元(8)，所述缓冲单元(8)位于清洗输入单元(1)的前方，可以临时存放晶圆。

【技术特征摘要】
1.一种CMP晶圆清洗设备，包括依次排列的清洗输入单元(1)、兆声清洗单元(2)、第一刷洗单元(3)、第二刷洗单元(4)、甩干单元(5)，传输机械手(6)和翻转机械手(7)位于清洗设备的上方，传输机械手(6)包括水平运动轴(601)、垂直运动轴(602)和晶圆抓取装置，可将晶圆在所述单元之间传输，翻转机械手(7)将所述晶圆抓取装置中的晶圆抓取并翻转，其特征在于，还包括缓冲单元(8)，所述缓冲单元(8)位于清洗输入单元(1)的前方，可以临时存放晶圆。2.根据权利要求1所述的CMP晶圆清洗设备，其特征在于包括抛光晶圆通道(10)，位于所述清洗输入单元(1)和所述兆声清洗单元(2)之间，以方便待化学机械抛光的晶圆进入抛光区域时穿过清洗设备。3.根据权利要求2所述的CMP晶圆清洗设备，其特征在于抛光晶圆通道(10)和清洗输入单元(1)中的晶圆托架均可以同时或单独移出，方便进行装载晶圆操作。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾海洋，张志军，古枫，王东辉，
申请(专利权)人：杭州众硅电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33