用于半导体装置制造的衬底处理方法制造方法及图纸

提供一种去除氧化物层的方法。金属层沉积在形成于锗衬底的顶表面处的氧化物层上。金属氧化物层沉积在所述金属层上。所述金属氧化物层包括与所述金属层相同的金属材料。所述金属层和所述氧化物层反应并且与所述金属氧化物层组合以在退火处理期间形成介电层。在所述退火处理期间，所述氧化物层与所述金属层反应并且被去除。

Substrate Processing Method for Semiconductor Device Manufacturing

A method for removing oxide layer is provided. The metal layer is deposited on the oxide layer formed on the top surface of the germanium substrate. The metal oxide layer is deposited on the metal layer. The metal oxide layer comprises a metal material identical to the metal layer. The metal layer reacts with the oxide layer and is combined with the metal oxide layer to form a dielectric layer during annealing treatment. During the annealing process, the oxide layer reacts with the metal layer and is removed.

【技术实现步骤摘要】
用于半导体装置制造的衬底处理方法
本公开大体上涉及半导体装置制造，并且更具体来说涉及用于半导体装置制造的衬底处理方法。
技术介绍
半导体装置通常可见于大范围的电子产品中--从缝纫机到洗衣机，从汽车到蜂窝电话等。随着技术发展，预期这些半导体装置会减小尺寸和成本，而性能提高。然而，传统硅(Si)基互补金属氧化物半导体(CMOS)技术不可能无限度地持续驱动半导体装置性能。在追求更先进的半导体装置性能的过程中，锗(Ge)基CMOS已经获得青睐。锗基CMOS半导体装置的一个方面为相比于硅基CMOS装置，电子和空穴的流动性增大。增大的流动性可使锗基CMOS继续改进半导体装置性能。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供一种方法，包括：在氧化物层上沉积第一金属层，所述氧化物层形成于锗衬底的顶表面处；在所述第一金属层上沉积第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层包括与所述第一金属层相同的金属材料；以及在第一退火处理期间，将所述第一金属层连同所述氧化物层与所述第一金属氧化物层组合以形成介电层。在一个或多个实施例中，所述氧化物层与所述第一金属层反应以在所述第一退火处理期间去除所述氧化物层。在一个或多个实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其特征在于，包括：在氧化物层上沉积第一金属层，所述氧化物层形成于锗衬底的顶表面处；在所述第一金属层上沉积第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层包括与所述第一金属层相同的金属材料；以及在第一退火处理期间，将所述第一金属层连同所述氧化物层与所述第一金属氧化物层组合以形成介电层。

【技术特征摘要】
2017.06.16 US 15/624,8431.一种方法，其特征在于，包括：在氧化物层上沉积第一金属层，所述氧化物层形成于锗衬底的顶表面处；在所述第一金属层上沉积第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层包括与所述第一金属层相同的金属材料；以及在第一退火处理期间，将所述第一金属层连同所述氧化物层与所述第一金属氧化物层组合以形成介电层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物层与所述第一金属层反应以在所述第一退火处理期间去除所述氧化物层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层通过原子层沉积(ALD)处理进行沉积。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为10埃或更小。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述介电层上沉积栅极材料层，并且图案化所述栅极材料层以形成晶体管栅极和栅极电介质，所述栅极电介质包括所述介电层的一部分。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉马·I·赫格德，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US