晶体管金属电极结构的制作方法技术

本发明专利技术提供一种晶体管金属电极结构的制作方法，包括以下步骤，在基板上形成金属粘附膜；在金属粘附膜上形成金属电极膜；在金属电极膜上形成图案层；以图案层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺对金属电极膜进行刻蚀，形成图案化的金属电极层。本发明专利技术的通过在形成金属电极层的湿制程工艺中，采用加入可溶解电离的气体或/和电解质的腐蚀电解质溶液对金属电极膜进行刻蚀，提高了腐蚀电解质溶液的导电率，避免局部电流密度过大而产生点蚀。

【技术实现步骤摘要】
晶体管金属电极结构的制作方法
本专利技术涉及一种晶体管制作技术，特别涉及一种晶体管金属电极结构的制作方法。
技术介绍
在IC/FPD/PCB等半导体行业的晶体管制程中，晶体管包括由金属电极，而其中由于在制程中，金属电极与基板的粘附性及在半导体有源层中易扩散的特点，使得金属电极一般具有两层或多层结构，比如Cu/Mo结构。现有技术中Cu/Mo结构的湿刻蚀制程中，Cu/Mo界面形成合金层，晶格失配导致点阵势能较大，容易反应；且由于Cu(1)和Mo(2)在电解质溶液中的电势电位差异，形成电化学腐蚀。而Cu/Mo腐蚀电解质溶液(蚀刻液&水)导电率较低，局部腐蚀电流密度较大，易形成点蚀(如图1)，导致Cu/Mo界面腐蚀分离，进而提高了Cu扩散对沟道的影响和断线断膜的风险。故，需要提供一种避免出现金属间界面发生腐蚀的晶体管金属电极结构的制作方法，以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种晶体管金属电极结构的制作方法；以解决现有的晶体管金属电极结构的做作方法中，在湿刻蚀过程中由于Cu/Mo腐蚀电解质溶液(蚀刻液&水)导电率较低，局部腐蚀电流密度较大，易形成点蚀，导致Cu本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管金属电极结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成金属粘附膜；在所述金属粘附膜上形成金属电极膜，所述金属粘附膜的电位高于所述金属电极膜的电位；在所述金属电极膜上形成图案层；以所述图案层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺对所述金属电极膜进行刻蚀，形成图案化的金属电极层；其中，在所述采用湿法刻蚀工艺对所述金属电极膜进行刻蚀，形成图案化的金属电极层的步骤中，采用加入可溶解电离的气体或/和电解质的腐蚀电解质溶液对所述金属电极膜进行刻蚀，以提高所述腐蚀电解质溶液的导电率，避免局部电流密度过大使得所述金属电极层产生的点蚀。

【技术特征摘要】
1.一种晶体管金属电极结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成金属粘附膜；在所述金属粘附膜上形成金属电极膜，所述金属粘附膜的电位高于所述金属电极膜的电位；在所述金属电极膜上形成图案层；以所述图案层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺对所述金属电极膜进行刻蚀，形成图案化的金属电极层；其中，在所述采用湿法刻蚀工艺对所述金属电极膜进行刻蚀，形成图案化的金属电极层的步骤中，采用加入可溶解电离的气体或/和电解质的腐蚀电解质溶液对所述金属电极膜进行刻蚀，以提高所述腐蚀电解质溶液的导电率，避免局部电流密度过大使得所述金属电极层产生的点蚀。2.根据权利要求1所述的晶体管金属电极结构的制作方法，其特征在于，所述金属电极膜和所述金属粘附膜的组合为Cu/Mo、Al/Mo、Cu/Nb、Cu/Ti或Cu/Ni中的一种。3.根据权利要求1所述的晶体管金属电极结构的制作方法，其特征在于，当采用加入可溶解电离的气体的腐蚀电解质溶液对所述金属电极膜进行刻蚀时，所述气体通入量达到其在所述腐蚀电解质溶液的最大溶解度。4.根据权利要求1所述的晶体管金属电极结构的制作方法，其特征在于，当...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹易彪，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44