【技术实现步骤摘要】
完全去除圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间金属层的方法
本专利技术涉及一种微芯片制造方法，具体涉及圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间化学稳定性金属层完全去除的方法。
技术介绍
现有的高温无引线SOI压力传感器制作中，需要进行一种正面图形化对准静电键合工艺。当传感器用于高温测量时，普通的铝电极由于容易产生电迁徙，无法满足高温使用要求，常用的是采用多层金属电极以适用于高温环境的应用。这种多层电极中通常含有化学稳定性金属，如铂等，这种化学稳定性金属若采用湿法腐蚀的方法去除，腐蚀时间很长，导致侧向腐蚀严重，工艺无法接受。现有的多层金属电极制作方法为在SOI材料的顶层硅上，包括键合面的硅层，除敏感电阻位置上氧化层外，整片蒸发或者溅射上多层金属电极，然后通过光刻、干法刻蚀(或者湿法腐蚀)将不需要的部分去除，该种方法制作普通的电极引出是合适的，但是对于采用SOI材料制作的无引线封装压力传感器，需要将顶层硅与玻璃进行正面静电键合，为了达到良好的键合强度，必须保证顶层硅表面的平整性且硅层无金属杂质沾污。钛、铂、金等，多层金属电极采用单一的湿法腐蚀方法很难去除干净，如铂等化学稳定性金...
【技术保护点】
1.完全去除圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间金属层的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、按照设计所需将SOI硅片上的一部分顶层硅(1)刻蚀形成敏感电阻(2)；步骤二、对顶层硅(1)和敏感电阻(2)的上表面进行热氧化和化学气相沉积处理形成复合介质膜(3)；步骤三、在复合介质膜(3)上涂光刻胶后进行光刻，光刻胶形成带有多层金属电极孔图形(9)的金属电极孔掩膜板(6)，利用该金属电极孔掩膜板(6)刻蚀去除多层金属电极孔图形(9)位置所对应的复合介质膜(3)，形成多层金属电极孔(4)；金属电极孔掩膜板(6)上多层金属电极孔图形(9)的区域为透光区、其余部分为阻光区；步骤四、对...
【技术特征摘要】
1.完全去除圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间金属层的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、按照设计所需将SOI硅片上的一部分顶层硅(1)刻蚀形成敏感电阻(2)；步骤二、对顶层硅(1)和敏感电阻(2)的上表面进行热氧化和化学气相沉积处理形成复合介质膜(3)；步骤三、在复合介质膜(3)上涂光刻胶后进行光刻，光刻胶形成带有多层金属电极孔图形(9)的金属电极孔掩膜板(6)，利用该金属电极孔掩膜板(6)刻蚀去除多层金属电极孔图形(9)位置所对应的复合介质膜(3)，形成多层金属电极孔(4)；金属电极孔掩膜板(6)上多层金属电极孔图形(9)的区域为透光区、其余部分为阻光区；步骤四、对不同金属进行蒸发或溅射处理，使多层金属电极孔(4)以内的顶层硅(1)上和多层金属电极孔(4)以外的复合介质膜(3)上均附着有多层金属膜；步骤五、在多层金属膜上涂光刻胶后进行光刻，光刻胶形成带有多层金属电极图形(10)的金属电极掩膜板(7)，利用该金属电极掩膜板(7)刻蚀去除多层金属电极图形(10)以外的位置所对应的多层金属膜，多层金属膜剩余部分形成多层金属电极(5)；金属电极掩膜板(7)上多层金属电极图形(10)的位置与金属电极孔掩膜板(6)上多层金属电极孔图形(9)的位置对应、且多层金属电极图形(10)的区域为阻光区、其余部分为透光区；步骤六、在多层金属电极(5)和复合介质膜(3)上涂光刻胶后进行光刻，光刻胶形成带有金属电极保护图形(12)和敏感电阻区图形(11)的介质膜掩膜板(8)，利用该介质膜掩膜板(8)刻蚀去除金属电极保护图形(12)和敏感电阻区图形(11)以外的位置所对应的复合介质膜(3)；金属电极保护图形(12)与多层金属电极(5)的位置对应且完全覆盖多层金属电极(5)，敏感电阻区图形(11)的位置与敏感电阻(2)的位置对应，且该介质膜掩膜板(8)上多层金属电极图形(10)的区域和敏感电阻区图形(11)的区域均为阻光区、其余部分为透光区；步骤七、对多层金属电极(5)进行退火。2.根据权利要求1所述的完全去除圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间金属层的方法，其特征在于，步骤二中对顶层硅(1)和敏感电阻(2)的上表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：田雷，齐虹，李玉玲，李鑫，王明伟，张林超，吴佐飞，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十九研究所，
类型：发明
国别省市：黑龙江,23
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