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用于半导体装置制造的衬底处理方法制造方法及图纸
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下载用于半导体装置制造的衬底处理方法的技术资料
文档序号:20008232
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提供一种去除氧化物层的方法。金属层沉积在形成于锗衬底的顶表面处的氧化物层上。金属氧化物层沉积在所述金属层上。所述金属氧化物层包括与所述金属层相同的金属材料。所述金属层和所述氧化物层反应并且与所述金属氧化物层组合以在退火处理期间形成介电层。在...
该专利属于恩智浦美国有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩智浦美国有限公司授权不得商用。
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